[发明专利]用于处理半导体工件的设备

权利要求书

1.一种用于处理半导体工件的设备，包括：

第一室，其具有第一等离子体产生源和用于将气体供应引入所述第一室的第一气体供应部；

第二室，其具有第二等离子体产生源和用于将气体供应引入所述第二室的第二气体供应部，所述第二气体供应部与所述第一气体供应部能相互独立地控制；

置于所述第二室中的工件支承件；以及

多个气流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上时邻近所述工件的气流通路，其中所述气流通路限定元件包括用于保护晶片边缘和/或在晶片边缘周围向外的区域的至少一个晶片边缘区域保护元件以及与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定所述气流通路的至少一个辅助元件，其中，所述晶片边缘区域保护元件和所述辅助元件的定位能够被调整以便控制所述气流通路，并且其中，所述辅助元件与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定在5mm至50mm之间的间隙，从而在所述辅助元件下方和所述晶片的边缘处形成电导限制通路以便减少所述晶片的边缘处的气流。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述晶片边缘区域保护元件为环形晶片边缘保护装置。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述至少一个辅助元件包括一个或多个挡板。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述至少一个辅助元件为环形挡板。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述辅助元件置于所述晶片边缘区域保护元件的内部部分的上方。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述辅助元件置于所述晶片边缘区域保护元件的外部部分的上方。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述辅助元件向所述第二室的壁径向向内延伸。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述辅助元件从所述第二室的壁向下延伸。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述辅助元件与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定在15mm至25mm之间的间隙。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，当所述工件被置于所述工件支承件上时，所述气流通路从所述工件径向向外延伸。

11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述工件在被置于所述工件支承件上时由一载体支撑，所述晶片边缘区域保护元件保护所述载体。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述载体为带和框架类型，所述晶片边缘区域保护元件保护所述带和/或所述框架。

13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一等离子体产生源包括用于将能量耦合到所述第一室中以维持在第一室中感应的等离子体的元件；所述第二等离子体产生源包括用于将能量耦合到所述第二室中以维持在第二室中感应的等离子体的元件，其中第一等离子体产生源的所述元件与第二等离子体产生源的所述元件间隔开以便使在第二室中感应的等离子体与在第一室中感应的等离子体去耦。

14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述第一室与所述第二室在具有相关联的水平面的界面处相接触，并且所述第一等离子体产生源的所述元件和所述第二等离子体产生源的所述元件中的至少一个与所述水平面分隔开。

15.一种用于处理半导体工件的设备，包括：

具有壁的室；

置于室中的工件支承件；

至少一个等离子体产生源；以及

多个气流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上时邻近所述工件的气流通路，其中所述气流通路限定元件包括用于保护晶片边缘和/或在晶片边缘周围向外的区域的至少一个晶片边缘区域保护元件以及与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定所述气流通路的至少一个辅助元件，其中，所述晶片边缘区域保护元件和所述辅助元件的定位能够被调整以便控制所述气流通路，并且其中，所述辅助元件与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定在5mm至50mm之间的间隙，从而在所述辅助元件下方和所述晶片的边缘处形成电导限制通路以便减少所述晶片的边缘处的气流。