[发明专利]具有嵌入在封装中的硅通孔（TSV）管芯的多芯片集成在审
| 申请号： | 201410199136.X | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104157631A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | D·A·劳瑞恩;李永刚;R·N·马内帕利;J·索托冈萨雷斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有多个管芯的三维(3D)集成的集成电路(IC)封装组件，以及对应的制造方法和包含这种3D IC封装组件的系统。可在诸如微处理器管芯的第一管芯上形成无凸块建立层(BBUL)封装衬底。激光辐射可用于在管芯背面薄膜中形成开口以暴露第一管芯的背侧上的TSV焊盘。诸如存储器管芯堆叠的第二管芯可通过在对应的第一和第二管芯的TSV之间形成的管芯互连耦合至第一管芯。可施加底部填充材料以填充第一和第二管芯之间的任何剩余间隙中的一些或所有，和/或可密封剂施加于第二管芯和/或封装衬底上。可描述和/或要求保护其它的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入 封装 中的 硅通孔 tsv 管芯 芯片 集成 | ||
【主权项】：
一种封装组件，包括：具有多个建立层的封装衬底；嵌入到所述封装衬底中的第一管芯，所述第一管芯具有第一侧、第二侧、第一硅通孔(TSV)以及电路由特征，所述第一侧具有一个或多个晶体管，第二侧与第一侧相对，电路由特征设置在所述第二侧上，其中所述电路由特征通过第一TSV与一个或多个晶体管中的至少一个晶体管电耦合；以及与所述第一管芯的第二侧耦合的第二管芯，所述第二管芯具有第二TSV，其中所述第二TSV与第一TSV电耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410199136.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
