[发明专利]具有嵌入在封装中的硅通孔（TSV）管芯的多芯片集成

说明书

技术领域

本公开的实施例一般涉及集成电路的领域，并且更具体地涉及用于实现具有多个管芯的三维(3D)集成的集成电路(IC)封装组件的技术和配置。 

背景技术

当形状因数不断缩小时，消费者对移动设备中更快的处理速度和增加的存储容量的需求持续上升。近来，IC行业已开始实施利用层叠封装(PoP)或采用硅通孔(TSV)的直接管芯到管芯互连的倒装芯片封装和外围器件的三维(3D)集成。然而，目前可利用的技术不提供使用更薄的封装衬底，诸如，3D集成方案中的无凸块建立层。 

附图简述 

通过结合附图的以下详细描述将容易理解多个实施例。为了便于该描述，相同的附图标记指示相同结构的元件。在附图的多个图中通过示例而非作为限制地说明多个实施例。 

图1a-1c示出了根据多个实施例的示例集成电路(IC)封装组件及其部分的截面侧视示意图。 

图2示意性地示出了根据一些实施例的用于制造IC封装组件的方法的流程图。 

图3a-3g示意性地示出了根据多个实施例的IC封装组件制造的多个阶段。 

图4示意性地示出了根据一些实施例的用于制造IC封装组件的方法的流程图。 

图5a-5g示意性地示出了根据多个实施例的IC封装组件制造的多个阶段。 

图6a-6f示意性地示出了根据多个实施例的IC封装组件制造的多个阶段。 

图7示意性地示出根据多个实施例的计算设备。 

详细描述 

本公开的实施例描述了用于IC封装组件中的3D多芯片集成的技术和配置。在以下描述中，将使用本领域技术人员所通常使用的术语来描述示例性实现的各个方面，以向其他本领域技术人员传达它们的工作的实质。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，仅采用所描述方面中的一些也可实施本公开。为了说明的目的，陈述具体的数字、材料和配置以提供对示例性实现的全面理解。然而，本领域技术人员将可理解，没有这些特定细节也可实施本公开的实施例。在其他实例中，省略或简化已知特征以不模糊示例性实现。 

在以下详细描述中，参照形成本说明书的一部分的附图，其中在全部附图中相同的标记指示相同的部件，并且在附图中以可实施本公开的主题的示例实施例的方式显示。将理解，可利用其它实施例，且可做出结构上或逻辑上的改变，而不偏离本公开的范围。因此，以下详细描述不应按照限制性意义来理解，且多个实施例的范围由所附权利要求及其等价方案来限定。 

为了本公开的目的，短语“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。为了本公开的目的，短语“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。 

说明书可使用基于视角的描述，诸如顶部/底部、内/外、上/下等等。这种描述仅用于便于讨论并且不旨在将本文所描述的实施例的应用限制在任何特定方向。 

说明书可使用短语“在实施例中”或“在多个实施例中”，它们均可 表示相同或不同实施例中的一个或多个。此外，有关本公开的多个实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等等是同义的。 

本文可使用术语“与……耦合”及其派生词。“耦合”可表示以下一个或多个。“耦合”可表示两个或多个元件直接物理或电气接触。然而，“耦合”还可表示两个或多个元件彼此间接接触，但仍彼此协作或交互，以及可表示一个或多个其他元件被耦合或连接在所述将彼此耦合的元件之间。术语”直接耦合”可表示两个或多个元件直接接触。 

在各个实施例中，短语“在第二特征上形成、沉积或以其他方式设置第一特征”，可表示第一特征被形成、沉积、或设置在第二特征之上，并且第一特征的至少一部分可与第二特征的至少一部分直接接触(例如，直接物理和/或电接触)或间接接触(在第一特征和第二特征之间具有一个或多个其他特征)。 

为了便于参考，用三位数字标记在附图中所示的IC封装组件部件，其中第一位数字对应于图号(例如，图1a-1c的特征被标记为“1XX”)而第二和第三位数字识别部件。因此，虽然可参照特定附图(例如，图1a-1c的第一管芯102a)描述IC封装组件部分，但描述应当被理解为同样地应用于其他附图的对应部件。例如，图3a-3g的第一管芯302a、图5a-5g的第一管芯502、图6a-6f的第一管芯602a以及图7的第一管芯702a可具有针对图1a-1c的第一管芯102a描述的任何或所有特征/配置。