[发明专利]半导体装置的评价装置有效
申请号: | 201410174467.8 | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN104183516B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 秋山肇;冈田章;山下钦也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 何立波,张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置的评价装置,其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价,该半导体装置的评价装置具有保持部(2),其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上;以及检测部(3),其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20),多个槽部(20)形成为,在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时,与半导体衬底(100)的外周重合,并且,一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 评价 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的评价装置,其对形成在半导体衬底上的半导体装置进行电气评价,该半导体装置的评价装置具有:保持部,其将半导体衬底保持在表面上;以及检测部,其对所述保持部的所述表面的凹凸进行检测,所述保持部在所述表面上包含多个槽部,多个所述槽部形成为,在将所述半导体衬底保持在所述表面上时,与所述半导体衬底的外周重合,并且,一部分与所述半导体衬底的外周相比位于外侧,在所述槽部中与所述半导体衬底的外周相比位于外侧的区域中,形成有与所述槽部中的外周侧的端部不同的台阶部,从所述表面至所述槽部的底面为止的深度,在将所述半导体衬底保持在所述表面上时,在与所述半导体衬底的外周相比位于外侧的区域中,在所述半导体衬底的中心侧和所述半导体衬底的外周侧是不同的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410174467.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无线信号搜寻方法以及移动电子装置
- 下一篇:一种连接扣
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造