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[发明专利]SiC－SOI器件及其制造方法-CN201910631536.6有效
发明人： 秋山肇;吉野学 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于在晶片粘接型的介电隔离构造中实现高耐压化而不使SOI层厚膜化。SiC－SOI器件(1001)的器件区域(RD)具备：第1沟槽(8)，其连续地或间断地包围N－型漂移区域(3A)，不贯穿SiC衬底；N+型侧面部扩散区域(5)，其形成于第1沟槽(8)的两个侧面；N+型底部扩散区域(4)，其形成于N－型漂移区域(3A)的下方，与N+型侧面部扩散区域(5)相接；以及多个薄绝缘膜(23)，它们在漂移区域的表面附近以小于或等于0.4μm的间隔形成。周边区域(RC)具备：第2沟槽(10)，其以连续地包围第1沟槽(8)的方式形成，贯穿SiC衬底；以及隔离绝缘膜区域(11)，其形成于第2沟槽(10)的两个侧面。
sic soi 器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的评价装置及评价方法-CN201610848255.2有效
发明人：冈田章;竹迫宪浩;秋山肇 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明得到能够容易且高精度地对多个探针的前端部的面内位置及温度进行检查的半导体装置的评价装置及评价方法。卡盘台(1)将半导体装置(2)固定。多个探针(3)固定于绝缘基板(5)。温度调整部(4)对多个探针(3)的温度进行调整。评价及控制部(10)经由多个探针(3)而使电流流过半导体装置(2)，对半导体装置(2)的电气特性进行评价。热图像测量部(15)取得被多个探针(3)的前端部按压于表面后的检查板(14)的热图像。热图像处理部(19)对热图像进行图像处理，求出多个探针(3)的前端部的面内位置及温度。
半导体装置评价方法

[发明专利]半导体装置的评价装置以及评价方法-CN201611032485.8有效
发明人：冈田章;竹迫宪浩;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：得到能够容易且高精度地对多个探针的前端部的面内位置及温度进行检查的半导体装置的评价装置及评价方法。卡盘台(1)对半导体装置(2)进行固定。多个探针(3)固定于绝缘基板(5)。温度调整部(4)对多个探针(3)的温度进行调整。评价及控制部(10)经由多个探针(3)使电流流过半导体装置(2)而对半导体装置(2)的电气特性进行评价。在检查板(14)上表面或下表面设置有热致变色材料(15)。在将多个探针(3)的前端部按压于检查板(14)上表面的状态下由拍摄部(16)对热致变色材料(15)的颜色变化图像进行拍摄。由图像处理部(20)对该颜色变化图像进行图像处理而求出多个探针(3)的前端部的面内位置及温度。
半导体装置评价以及方法

[发明专利]晶片吸附台-CN201610751500.8有效
发明人： 秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附台。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部。而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
晶片吸附

[发明专利]半导体装置以及其试验方法-CN201480076889.X有效
发明人： 秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够抑制评价时的放电的技术。半导体装置(1)具有：半导体基体(11)，其具有元件区域(11a)以及末端区域(11b)；多个电极焊盘(12)，它们配置于半导体基体(11)的元件区域(11a)之中的与末端区域(11b)分离的区域之上；绝缘性的保护膜(13)，其在各电极焊盘(12)之上设置有开口部(13a)；以及多个导电层(14)，其配置于保护膜(13)之上，经由开口部(13a)而与多个电极焊盘(12)分别电连接。在俯视观察时，各导电层(14)延伸设置至末端区域(11b)或者其附近。
半导体装置及其试验方法

[发明专利]试验装置、试验方法-CN201410389845.4有效
发明人：冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种试验装置和试验方法，其能够通过简单的方法将半导体芯片的异物去除，提高试验的可靠性。该试验装置具有：异物去除部(14)，其具有第1斜面(32a)和第2斜面(32b)，在第1斜面上设置有磨料颗粒或粘接片，在第2斜面上设置有磨料颗粒或粘接片，该第2斜面以上方处与该第1斜面的距离远，下方处与该第1斜面的距离近的方式与该第1斜面相对；试验部16，其对半导体芯片(20)的电气特性进行试验；以及移动部(18)，其使该半导体芯片与该第1斜面和该第2斜面的上方接触/分离，并将该半导体芯片向该试验部输送。 1
半导体芯片试验试验装置磨料颗粒粘接片异物去除部电气特性异物去除移动部

[发明专利]半导体评价装置-CN201410475450.6有效
发明人：冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：半导体评价装置(100)具有评价用夹具(12)以及探针基体(2)。评价用夹具(12)设置为能够载置多个半导体装置(10)。探针基体(2)设置为与评价用夹具(12)相对，包含接触式探针(23)、能够屏蔽电场的屏蔽部(22)、以及保持接触式探针(23)的绝缘性基体(21)。评价用夹具(12)包含有利用框部(13)划分为能够分别载置多个所述半导体装置(10)的多个收容部(17)。构成为，通过使框部(13)和探针基体(2)接近，从而在多个收容部(17)和探针基体(2)之间形成有分别载置多个半导体装置(10)的空间的状态下，能够使接触式探针(23)与多个元件接触。
半导体评价装置

[发明专利]半导体试验夹具和其搬运夹具及使用这些夹具的异物去除方法-CN201410514188.1有效
发明人：冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明是半导体试验夹具和其搬运夹具及使用这些夹具的异物去除方法，本发明的目的在于，提供一种在试验时能够抑制异物附着在纵型半导体装置的设置面上，并且能够简化纵型半导体装置的制造工序及降低制造成本的技术。半导体试验夹具(1)具有导电性的基座(2)，其具有多个设置部(6)，多个纵型半导体装置(7)以下表面电极与设置部接触的状态分别独立地设置在该多个设置部(6)上；网格状的绝缘性的框部(3)，其配置在基座(2)上，在俯视观察时，其将多个设置部(6)分别包围，由此划分各设置部(6)；以及研磨层(11)，其配置在框部(3)的与设置在设置部(6)上的各纵型半导体装置(7)相对的位置处。
半导体试验夹具搬运使用这些异物去除方法

[发明专利]半导体装置的检查装置以及半导体装置的检查方法-CN201710038775.1在审
发明人： 秋山肇;冈田章 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明目的在于提供能够以低成本高精度地对多个探针的高度方向错位进行检测的半导体装置的检查装置及检查方法。本发明涉及的半导体装置的检查装置(1)具有探针插座(19)；以及绝缘板(16)，其经由探针插座来保持探针(11)，探针插座具有在探针的按压方向与绝缘板相对的相对部分，在该相对部分配置压力被动部件(7)，绝缘板是透明的，通过对探针前端进行按压，从而使压力被动部件在探针插座的相对部分和绝缘板间受到按压，检查装置还具有照相机(21)，其从绝缘板的与配置压力被动部件的一侧的面相反侧的面对压力被动部件进行拍摄；以及图像处理部(22)，其对由照相机拍摄到的图像进行处理而检测压力被动部件有无受到压力。
半导体装置检查以及方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410174444.7有效
发明人： 秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：针对半导体晶圆，作为进行电气特性评价前的处理，实施保护膜形成工序处理。在该处理中，在形成作为保护膜的绝缘膜之后，通过实施照相制版处理和蚀刻处理，从而形成具有将发射极电极(11)露出的多个开口部(17)的保护膜(16)。然后，通过经由各个开口部(17)，使接触探针与露出的发射极电极(11)接触，从而进行电气特性评价。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的评价装置-CN201410174467.8有效
发明人： 秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体装置的评价装置，其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价，该半导体装置的评价装置具有保持部(2)，其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上；以及检测部(3)，其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20)，多个槽部(20)形成为，在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时，与半导体衬底(100)的外周重合，并且，一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。
半导体装置评价

[发明专利]接触探针型温度检测器、半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法-CN201610466367.1在审
发明人：山下钦也;野口贵也;冈田章;秋山肇;上野和起 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种技术，该技术在对半导体装置的电气特性进行评价时能够抑制气体放电，并且高精度地对半导体装置的温度进行检测。作为接触探针型温度检测器的温度检测用探针(7)具有：柱塞部(12)，其能够与作为被测定物的半导体装置(5)接触；弹簧部件(17)，其配置于柱塞部(12)的基端部；筒部(14)，其经由弹簧部件(17)而将柱塞部(12)向半导体装置(5)侧按压；以及作为测温部的热电偶(19)，其对半导体装置(5)的温度进行检测。
接触探针温度检测器半导体装置评价以及方法

[发明专利]半导体装置-CN201480076887.0在审
发明人： 秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够抑制电气特性的评价时的局部放电的发生，从被测定物的上方进行故障解析。本发明所涉及的半导体装置(1)具有：至少大于或等于1个电极(17)；绝缘性的保护层(20)，其具有以电极(17)的一部分露出的方式设置的至少大于或等于1个开口部(21)，且该保护层形成为将开口部(21)以外的电极(17)覆盖；以及导电层(26)，其将保护层(20)及开口部(21)覆盖，在开口部(21)与电极(17)直接连接。
半导体装置

[发明专利]半导体评价装置及半导体评价方法-CN201410042200.3有效
发明人： 秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体评价装置及半导体评价方法，其成本低，且不增加评价工序所花费的时间，能够简单地抑制被测定物上的局部放电的发生。半导体评价装置（1）具有：卡盘台（3），其对作为被测定物的半导体装置（5）进行保持；接触探针（10），其用于与保持在卡盘台（3）上的半导体装置（5）接触而评价半导体装置（5）的电气特性；以及流体吹出部（7），其向半导体装置（5）吹出流体。
半导体评价装置方法

[发明专利]废弃物熔融处理方法-CN201280024688.6有效
发明人：中山刚;内山武;秋山肇;吉田朋广;井田民男 -专利权人：杰富意工程株式会社;学校法人近畿大学
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： F23G5/24 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种废弃物的熔融处理方法，其可以降低竖式的废弃物熔融炉中的煤焦炭的用量、减少二氧化碳排放量，同时可以抑制废弃物熔融炉的庞大的运转费用，另外，可以有效地利用生物质原料所具有的挥发成分的燃烧热，进而可以稳定地进行作业。在废弃物熔融炉(1)中投入废弃物，将废弃物热分解、燃烧，将热分解燃烧残渣熔融，在这样的废弃物熔融处理方法中，特征在于，投入煤焦炭和生物质成型物，在该熔融炉的下部用煤焦炭形成高温炉栅，使煤焦炭和生物质成型物燃烧，形成熔融热源，所述生物质成型物是将生物质原料加热至比碳化温度低的温度，同时加压成型而得的。
废弃物熔融处理方法

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