[发明专利]沟槽MOSFET及其制作方法有效
| 申请号： | 201410143493.4 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103887342B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 童亮 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种沟槽MOSFET及其制造方法。沟槽MOSFET包括：位于半导体衬底上的外延半导体层；从外延半导体层上方延伸进入其内部的沟槽；屏蔽导体，至少一部分位于沟槽的下部；中间绝缘层，位于屏蔽导体上方；栅极电介质，位于沟槽的上部侧壁；栅极导体，位于沟槽的上部，与屏蔽导体之间由中间绝缘层隔开；阱区，位于外延半导体层中，并且邻近沟槽；源区，位于阱区中，并且邻近沟槽；分别与源区、半导体衬底、栅极导体和屏蔽导体电连接的源极接触、漏极接触、栅极接触和屏蔽接触，其中，屏蔽导体与外延半导体层之间由绝缘叠层隔开，绝缘叠层包括至少一个氧化物层和至少一个氮化物层。沟槽MOSFET可以改善中间绝缘层的质量，从而提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽MOSFET，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第一掺杂类型的外延半导体层；从外延半导体层上方延伸进入其内部的沟槽；屏蔽导体，至少一部分位于沟槽的下部并且与外延半导体层之间绝缘隔开；中间绝缘层，位于屏蔽导体上方；栅极电介质，位于沟槽的上部侧壁；栅极导体，位于沟槽的上部，并且与外延半导体层之间由栅极电介质隔开，与屏蔽导体之间由中间绝缘层隔开；第二掺杂类型的阱区，位于外延半导体层中，并且邻近沟槽；第一掺杂类型的源区，位于阱区中，并且邻近沟槽；分别与源区、半导体衬底、栅极导体和屏蔽导体电连接的源极接触、漏极接触、栅极接触和屏蔽接触，其中，所述屏蔽导体与所述外延半导体层之间由绝缘叠层隔开，所述绝缘叠层包括至少一个氧化物层和至少一个氮化物层，所述中间绝缘层相对所述绝缘叠层的第一表面凸起，所述绝缘叠层的第一表面为所述绝缘叠层远离所述沟槽底部一面。
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