[发明专利]沟槽MOSFET及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽MOSFET，包括：

第一掺杂类型的半导体衬底；

位于半导体衬底上的第一掺杂类型的外延半导体层；

从外延半导体层上方延伸进入其内部的沟槽；

屏蔽导体，至少一部分位于沟槽的下部并且与外延半导体层之间绝缘隔开；

中间绝缘层，位于屏蔽导体上方；

栅极电介质，位于沟槽的上部侧壁；

栅极导体，位于沟槽的上部，并且与外延半导体层之间由栅极电介质隔开，与屏蔽导体之间由中间绝缘层隔开；

第二掺杂类型的阱区，位于外延半导体层中，并且邻近沟槽；

第一掺杂类型的源区，位于阱区中，并且邻近沟槽；

分别与源区、半导体衬底、栅极导体和屏蔽导体电连接的源极接触、漏极接触、栅极接触和屏蔽接触，

其中，所述屏蔽导体与所述外延半导体层之间由绝缘叠层隔开，所述绝缘叠层包括至少一个氧化物层和至少一个氮化物层，所述中间绝缘层相对所述绝缘叠层的第一表面凸起，所述绝缘叠层的第一表面为所述绝缘叠层远离所述沟槽底部一面。

2.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET，其中所述中间绝缘层由氧化物组成。

3.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET，其中所述中间绝缘层的厚度为100-500纳米。

4.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET，其中所述绝缘叠层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，第一绝缘层邻接所述外延半导体层，第三绝缘层邻接所述屏蔽导体，并且第二绝缘层夹在第一绝缘层和第三绝缘层之间。

5.根据权利要求4所述的沟槽MOSFET，其中所述第一绝缘层由氧化物组成，第二绝缘层由氮化物组成，并且第三绝缘层由氧化物组成。

6.根据权利要求5所述的沟槽MOSFET，其中所述第一绝缘层的厚度为5-20纳米，第二绝缘层的厚度为10-50纳米，第三绝缘层的厚度为50-1500纳米。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的沟槽MOSFET，其中所述屏蔽导体包括位于所述栅极导体下方的第一部分、从第一部分横向延伸的第二部分、以及从第二部分向上延伸至沟槽顶部的第三部分。

8.根据权利要求7所述的沟槽MOSFET，其中所述屏蔽导体的第一部分和第三部分与所述栅极导体之间，由所述中间绝缘层彼此隔开。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的沟槽MOSFET，其中所述屏蔽导体包括位于所述栅极导体下方的第一部分、以及从第一部分横向延伸的第二部分。

10.根据权利要求9所述的沟槽MOSFET，还包括至少覆盖所述屏蔽导体的第二部分的第四绝缘层，以及穿过第四绝缘层与所述屏蔽导体电连接的导电通道。