[发明专利]栅极结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种栅极结构及其制作方法，包括提供衬底、第一金属层以及第二金属层；对第一开口的第一金属层进行第一处理；对第二开口中的第二金属层进行第二处理；形成金属栅极。本发明还提供一种栅极结构，包括衬底、位于第一开口中的功函数低于位于第二、第三开口的功函数的第一金属层、位于第二开口中的功函数高于位于第一、第三开口中的功函数的第二金属层；金属栅极。本发明的有益效果在于，对特定开口的第一、第二金属层进行处理，以调整该特定开口中第一或者第二金属层的功函数，不需要额外覆盖或堆叠新的金属层来改变叠加后的功函数，既节省了空间又简化了步骤，也尽量避免了额外覆盖或堆叠金属层随之可能产生的覆盖缺陷的问题。

主权项

一种栅极结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质材料层以及位于介质材料层中的多个伪栅结构；去除伪栅结构，形成位于层间介质层中且露出所述衬底的多个开口，所述多个开口包括：用于形成第一半导体器件的第一开口，用于形成第二半导体器件的第二开口，用于形成第三半导体器件的第三开口；在所述第一开口、第二开口以及第三开口中分别形成第一金属层；对所述第一开口中的第一金属层进行第一处理，以形成处理后第一金属层，所述处理后第一金属层的功函数小于第二开口和第三开口中第一金属层的功函数；在第一处理的步骤之后，在所述第一开口中的处理后第一金属层、第二开口和第三开口中的第一金属层上分别形成第二金属层；对位于所述第二开口中的第二金属层进行第二处理，以形成处理后第二金属层，所述处理后第二金属层的功函数大于第一开口和第三开口中的第二金属层的功函数；在所述第二开口中的处理后第二金属层、第一开口和第三开口中的第二金属层上分别形成金属栅极。