[发明专利]半导体器件的制作方法及TI-IGBT的制作方法在审
| 申请号： | 201410136330.3 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104979161A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法及TI-IGBT的制作方法，在半导体衬底的一个表面上制作完成第一表面结构后，在该表面结构上键合一个支撑片，然后再减薄所述半导体衬底上与所述支撑片相对的一侧，在减薄后的表面内制作第二表面结构，在上述制作方法中，由于第一表面结构是在减薄前的半导体衬底上制作形成，第二表面结构在键合有支撑片的减薄片上制作形成，也即，两个表面结构均在厚度较厚的衬底上制作形成，从而避免了对较薄的半导体衬底进行加工，进而降低了半导体衬底出现翘曲和碎片的概率，提高了半导体器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 ti igbt | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和支撑片；在所述半导体衬底的第一表面形成第一表面结构；采用键合工艺将所述形成有第一表面结构的半导体衬底的第一表面与所述支撑片键合；减薄所述半导体衬底上与所述第一表面相对的一侧至所述半导体衬底的厚度为所述半导体器件的耐压厚度；在减薄后的半导体衬底的第二表面上形成第二表面结构；去掉所述支撑片，暴露出所述第一表面结构；其中，所述第一表面结构为半导体器件的正面结构或背面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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