[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410101128.7 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104934324B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李勇;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，其上形成有伪栅极结构；在伪栅极结构的两侧形成侧墙，并在侧墙两侧的半导体衬底中形成碗状凹槽；实施预非晶化注入，在半导体衬底中形成将碗状凹槽的底部包裹住的预非晶化注入区；实施应力记忆过程并退火，以在碗状凹槽下方的半导体衬底中形成所述位错；去除侧墙，在碗状凹槽中外延生长顶部高于半导体衬底表面的抬升硅层或碳硅层。根据本发明，通过在半导体衬底中形成碗状凹槽，并实施离子入射方向相对于与半导体衬底相垂直的方向具有夹角的预非晶化注入，形成将碗状凹槽的底部包裹住的预非晶化注入区，可以缩短所述位错与伪栅极结构的边缘之间的距离，进一步提升NFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碗状凹槽 衬底 半导体 伪栅极结构 侧墙 非晶化注入区 半导体器件 非晶化 位错 半导体衬底表面 退火 入射方向 应力记忆 垂直的 硅层 抬升 碳硅 去除 离子 制造 生长 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；在所述伪栅极结构的两侧形成侧墙，并在所述侧墙两侧的半导体衬底中形成碗状凹槽；实施预非晶化注入，在所述半导体衬底中形成将所述碗状凹槽的底部包裹住的预非晶化注入区，所述预非晶化注入区缩短了后续形成的位错与伪栅极结构的边缘之间的距离；实施应力记忆过程并退火，以在所述碗状凹槽下方的半导体衬底中形成所述位错；去除所述侧墙，在所述碗状凹槽中外延生长顶部高于所述半导体衬底表面的抬升硅层或碳硅层；去除所述伪栅极结构，并在形成的沟槽内形成高k‑金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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