[发明专利]自对准双重图形化方法及鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

一种自对准双重图形化方法及鳍式场效应晶体管的制作方法。所述自对准双重图形化方法包括提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上依次形成第一牺牲层和光刻胶图案；以光刻胶图案为掩模，刻蚀第一牺牲层以形成第一牺牲层图案；去除光刻胶图案，在待刻蚀材料层上形成覆盖第一牺牲层图案的掩膜材料层；在掩膜材料层上形成第二牺牲层；去除位于第一牺牲层图案上的第二牺牲层和掩膜材料层；去除剩余的第二牺牲层；刻蚀剩余的掩膜材料层直至暴露出待刻蚀材料层；去除第一牺牲层图案；以剩余的掩膜材料层为掩模刻蚀待刻蚀材料层。所述鳍式场效应晶体管的制作方法包括上述的自对准双重图形化方法。本发明可形成横截面为矩形且形貌对称的掩模。

主权项

一种自对准双重图形化方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上依次形成第一牺牲层和光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述第一牺牲层以形成第一牺牲层图案；去除所述光刻胶图案，在所述待刻蚀材料层上形成覆盖所述第一牺牲层图案的掩膜材料层；在所述掩膜材料层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的材料包括DUO、光刻胶或底部抗反射材料；在所述第一牺牲层图案的材料为底部抗反射材料、且第二牺牲层的材料为底部抗反射材料时，则所述第二牺牲层的材料与所述第一牺牲层图案的材料相同；去除位于所述第一牺牲层图案上的所述第二牺牲层和所述掩膜材料层；去除剩余的所述第二牺牲层；刻蚀剩余的所述掩膜材料层直至暴露出所述待刻蚀材料层；去除所述第一牺牲层图案；以剩余的所述掩膜材料层为掩模刻蚀所述待刻蚀材料层；其中，去除所述第一牺牲层图案包括：在去除位于所述第一牺牲层图案上的第二牺牲层和掩膜材料层之后且在刻蚀剩余的所述掩膜材料层直至暴露出所述待刻蚀材料层之前，去除部分厚度的所述第一牺牲层图案；在刻蚀剩余的所述掩膜材料层直至暴露出所述待刻蚀材料层之后且在刻蚀所述待刻蚀材料层之前，去除剩余的所述第一牺牲层图案。