[发明专利]非易失性半导体存储器器件

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储器器件。一种非易失性半导体存储器器件包括：第一和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置。所述第一和第二存储器块中的每一个都包括多个位线、被设置为在第二方向上延伸的多个字线以及与所述多个字线中的任一个连接的存储器基元。所述第一存储器块包括与存储器基元的一端连接的第一选择栅极线，以及所述第二存储器块包括相同方式的第二选择栅极线。所述第一选择栅极线的一端的端部包括L-形部分，以及所述第二选择栅极线的一端的端部包括直线部分。在所述第一选择栅极的所述L-形部分上设置第一接触。

主权项

一种非易失性半导体存储器器件，包括：第一存储器块和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置，其中所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个都包括被设置为在所述第一方向上延伸的位线、被设置为在与所述位线十字相交的第二方向上延伸的字线，以及连接到所述字线的存储器基元，所述第一存储器块包括第一选择栅极晶体管，所述第一选择栅极晶体管连接到所述第一存储器块的所述存储器基元的端部，所述第二存储器块包括第二选择栅极晶体管，所述第二选择栅极晶体管连接到所述第二存储器块的所述存储器基元的端部，连接到所述第一选择栅极晶体管的第一选择栅极线和连接到所述第二选择栅极晶体管的第二选择栅极线互相邻近，所述第一选择栅极线的端部包括L‑形部分，所述L‑形部分在所述端部处具有在所述第二方向上延伸的第一区域和在所述第一方向上从所述第一区域延伸的第二区域，第一接触，设置在所述第一选择栅极线的所述L‑形部分上，以及在所述第一方向上从与所述第二选择栅极线背向的所述第一选择栅极线的第一边缘到与所述第一选择栅极线背向的所述第二选择栅极线的第一边缘的距离等于所述L‑形部分的宽度，其中在所述第一方向上从所述第一选择栅极线的所述第一边缘到与所述第一选择栅极线的所述第一边缘相对的所述第二区域的第二边缘测量所述宽度。