[发明专利]开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201380079465.4 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105531814A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 长谷川滋;森下和博;木谷刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够进行该开关元件的栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 元件 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种开关元件，其特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在所述衬底；第2栅极焊盘，其形成在所述衬底；第1电阻部，其形成在所述衬底，将所述第1栅极焊盘与所述第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在所述衬底，与所述第1栅极焊盘连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
