[发明专利]开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种利用来自外部的控制信号切换电流的导通和 截止的开关元件、具有该开关元件的半导体装置以及该半导体装置 的制造方法。

背景技术

在专利文献1中，公开了一种内置有栅极电阻的开关元件。 该开关元件在栅极焊盘部之下具有多个电阻区域。并且，在晶圆工 艺的最终工序将多个电阻区域与栅极适当地连接，得到所希望的栅 极电阻。

专利文献1：日本特开平3-179779号公报

发明内容

有时将多个开关元件并联连接而制造额定电流为几十～几千 安培的半导体装置。在这种半导体装置中，如果开关元件的栅极电 阻发生波动，则通断速度及导通电流值也会波动。这成为振荡或者 开关元件劣化的原因。因而，优选以能够对栅极电阻值符合标准这 一状况进行确认的方式构成栅极电阻内置型的开关元件。

关于上述的半导体装置，如果额定电流大则开关元件的并联 搭载数增加，如果额定电流小则开关元件的并联搭载数减少。并且， 如果开关元件的并联搭载数改变，则用于抑制栅极振荡、减小控制 信号的失衡的栅极电阻值最优值改变。因此，优选能够在完成栅极 电阻内置型的开关元件之后对栅极电阻进行选择，使开关元件应对 多个品种。

本发明就是为了解决上述的问题而提出的，目的在于提供一 种在完成栅极电阻内置型的开关元件之后能够进行栅极电阻值的 测量和栅极电阻的选择的开关元件、具有该开关元件的半导体装置 以及具有该开关元件的半导体装置的制造方法。

本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极 焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1 电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连 接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有第1开关元件、 第2开关元件以及对控制信号进行供给的导线，该第1开关元件具 有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形 成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与 该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1 栅极焊盘连接，该第2开关元件具有与该第1开关元件相同的构造， 与该第1开关元件并联连接，该导线与该第1开关元件的该第1 栅极焊盘以及该第2开关元件的第1栅极焊盘连接，或者与该第1 开关元件的该第2栅极焊盘以及该第2开关元件的第2栅极焊盘连 接。

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有：制 造开关元件的工序，该开关元件具有衬底、第1栅极焊盘、第2 栅极焊盘、第1电阻部以及单元区域，该第1栅极焊盘形成在该衬 底，该第2栅极焊盘形成在该衬底，该第1电阻部形成在该衬底， 将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接，该单元区域形成在该衬 底，与该第1栅极焊盘连接；使探针触碰该第1栅极焊盘和该第2 栅极焊盘而测量该第1电阻部的电阻值的工序；以及在该电阻值符 合标准的情况下将该开关元件搭载至模块的工序。

本发明的其他特征在下面得以明确。

发明的效果

根据本发明，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够 进行栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的实施方式1涉及的开关元件的 俯视图。

图2是表示固定在第2栅极焊盘的铝线的俯视图。

图3是表示固定在第1栅极焊盘的铝线的俯视图。

图4是变形例涉及的开关元件的俯视图。

图5是作为连接部而具有电阻部分的开关元件的俯视图。

图6是本发明的实施方式2涉及的开关元件的俯视图。

图7是本发明的实施方式3涉及的开关元件的俯视图。

图8是本发明的实施方式4涉及的开关元件的俯视图。

图9是本发明的实施方式5涉及的开关元件的俯视图。

图10是本发明的实施方式6涉及的半导体装置的电路图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式涉及的开关元件、半导体装 置以及半导体装置的制造方法进行说明。对相同或相应的结构要素 标注相同的标号，有时省略重复的说明。

实施方式1.