[发明专利]生长氮化镓基半导体层的方法及用其制造发光器件的方法在审
| 申请号： | 201380064627.7 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104838475A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 崔承奎;郭雨澈;金材宪;郑廷桓 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例涉及一种通过金属有机化学气相沉积来生长氮化镓基半导体层的方法，所述方法包括：在腔室中设置基板；在第一腔室压强下在基板上生长第一导电型氮化镓基半导体层；在比第一腔室压强高的第二腔室压强下在第一导电型氮化镓基半导体层上生长氮化镓基活性层；以及在比第二腔室压强低的第三腔室压强下在活性层上生长第二导电型氮化镓基半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化 半导体 方法 制造 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种通过金属有机化学气相沉积来生长氮化镓基半导体层的方法，所述方法包括下述步骤：在腔室中设置基板；在第一腔室压强下在基板上生长第一导电型氮化镓基半导体层；在比第一腔室压强高的第二腔室压强下在第一导电型氮化镓基半导体层上生长氮化镓基活性层；以及在比第二腔室压强低的第三腔室压强下在活性层上生长第二导电型氮化镓基半导体层，其中，第一、第二和第三腔室压强低于760Torr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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