[发明专利]具有气压传感器的半导体封装有效
| 申请号： | 201380028085.8 | 申请日： | 2013-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104321868B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 林启文;Q.马;F.爱德;J.斯万;郑永康 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 气压 传感器 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：多个累积层；在所述多个累积层中的一个或多个中设置的腔；气压传感器，被设置在所述多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极；以及与气压传感器耦合的永久磁体。
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