[发明专利]磁记录膜用溅射靶有效
| 申请号： | 201380011254.7 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104145306B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C22C1/05;C22C5/04;C22C32/00;C22C38/00;C23C14/34;G11B5/64 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁记录膜用溅射靶，其含有C，其特征在于，拉曼散射光谱测定中的G谱带与D谱带的峰强度比(IG/ID)为5.0以上。本发明的课题在于提供能够制作粒状结构的磁性薄膜而不使用昂贵的共溅射装置的分散有C颗粒的磁记录膜用溅射靶、特别是Fe‑Pt基溅射靶，虽然具有碳为难烧结的材料、而且碳之间容易形成聚集体的问题，还存在溅射中碳块容易脱离而在溅射后的膜上产生大量粉粒的问题，但是本发明的课题在于提供能够解决上述问题的高密度溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 溅射 | ||
【主权项】：
一种磁记录膜用溅射靶，其包含金属和C，所述金属的组成是Pt为5摩尔％以上且60摩尔％以下、余量为Fe的组成，其特征在于，C的含有比例为10摩尔％以上且70摩尔％以下，拉曼散射光谱测定中的G谱带与D谱带的峰强度比(IG/ID)为5.0以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉坤日矿日石金属株式会社，未经吉坤日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380011254.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 磁记录介质的制造方法-201680019575.5
- 森谷友博;中田仁志;岛津武仁 - 富士电机株式会社
- 2016-06-02 - 2019-07-30 - G11B5/851
- 本发明的目的是提供一种具有含有(Mg1－xTix)O的种子层和含有L10型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。
- Ni系溅射靶材和磁记录介质-201680013673.8
- 长谷川浩之;松原庆明;新村梦树;泽田俊之 - 山阳特殊制钢株式会社
- 2016-03-10 - 2019-07-05 - G11B5/851
- 本发明以提供导磁率低，能够得到强漏磁通的在磁控管溅射中的使用效率高的Ni系溅射靶材为课题，为了解决这一课题，提供一种Ni系溅射靶材，是含有Fex－Niy－Coz－M系合金而构成的Ni系溅射靶材，其特征在于，所述合金中，作为M元素，含有从W、Mo、Ta、Cr、V和Nb中选择的一种或两种以上的M1元素，合计2～20at.％，含有从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C和Ru中选择的一种或两种以上的M2元素，合计0～10at％，余量由Ni、还有Fe和Co之中的一种或两种、及不可避免的杂质构成，x+y+z＝100时，x为0～50，y为20～98，并且，z为0～60，所述合金中，具有含Feα－Niβ－Coγ相而构成的微观组织，α+β+γ＝100时，β为20～35，并且，γ为30以下，所述微观组织，含有在所述Feα－Niβ－Coγ相中固溶的M元素；和/或与Fe、Ni和Co之中的至少一种元素形成化合物的M元素而构成。
- 磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质-201580021621.0
- 长谷川浩之;松原庆明;新村梦树;林亮二 - 山阳特殊制钢株式会社
- 2015-04-02 - 2019-04-12 - G11B5/851
- 本发明提供作为垂直磁记录介质中的软磁性层使用的Co系磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质。一种磁记录用软磁性合金，其中，以at.％计，Fe：Co之比为10：90～70：30，含有0.5～29.5％的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上，含有0.0～29.5％的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上，A组元素和B组元素的合计含量为10～30％，氢含量小于20ppm，余量为Co、Fe及不可避免的杂质。
- 磁记录介质用溅射靶及其制造方法-201380013280.3
- 荻野真一;中村祐一郎 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2013-03-01 - 2018-08-31 - G11B5/851
- 一种磁记录介质用溅射靶，其特征在于，富B相的平均颗粒面积为90μm2以下。一种磁记录介质用溅射靶的制造方法，其特征在于，对合金铸锭进行热处理后，进行至少包含一次以上冷轧的一次轧制，然后进行二次轧制，并对其进行机械加工从而制作靶。本发明得到了在磁记录介质用溅射靶中富B相的破裂少且漏磁通密度高的靶，由此解决如下课题：使溅射时的放电稳定，抑制以富B相的破裂为起点的电弧放电，从而抑制粉粒产生。
- 一种高密度低成本磁记录介质FeNi合金及其制备方法-201510727343.2
- 王东玲;杜兆富 - 钢铁研究总院
- 2015-10-30 - 2018-08-10 - G11B5/851
- 本发明属于信息存储技术领域，涉及一种高密度低成本磁记录介质合金L10‑FeNi及其制备方法。本发明的高密度低成本磁记录介质FeNi合金，为多层薄膜结构，其特征在于：FeNi薄膜是以(001)MgO为基板，Fe为种子层，Au为缓冲层，通过分子束外延方式生长制备而成的具有(001)取向的薄膜；该FeNi合金具有L10有序结构，满足超高密度磁记录介质的应用。本发明磁晶各向异性参数Ku可达2.3×107erg/cc，在获得高磁晶各向异性能参数情况下，降低材料成本，增大合金薄膜的饱和磁化强度。
- 磁记录膜用溅射靶-201380011254.7
- 荻野真一 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2013-05-22 - 2017-09-26 - G11B5/851
- 一种磁记录膜用溅射靶，其含有C，其特征在于，拉曼散射光谱测定中的G谱带与D谱带的峰强度比(IG/ID)为5.0以上。本发明的课题在于提供能够制作粒状结构的磁性薄膜而不使用昂贵的共溅射装置的分散有C颗粒的磁记录膜用溅射靶、特别是Fe‑Pt基溅射靶，虽然具有碳为难烧结的材料、而且碳之间容易形成聚集体的问题，还存在溅射中碳块容易脱离而在溅射后的膜上产生大量粉粒的问题，但是本发明的课题在于提供能够解决上述问题的高密度溅射靶。
- 磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法-201380020065.6
- 荻野真一 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2013-07-10 - 2017-05-24 - G11B5/851
- 一种溅射靶，其为含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面平行的水平面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度的强度比为2以上。本发明的课题在于提供磁记录层由Fe‑Pt合金等磁性相与将该磁性相隔离的非磁性相构成，使用碳作为非磁性相的材料之一的强磁性材料溅射靶，提供在溅射时抑制以容易凝聚的碳为起点的异常放电导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。
- 磁记录膜用溅射靶及其制造方法-201180050302.4
- 高见英生;奈良淳史;荻野真一;中村祐一郎 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2011-11-09 - 2016-10-26 - G11B5/851
- 一种磁记录膜用溅射靶，含有SiO2，其特征在于，含有10～1000重量ppm的B(硼)。本发明的课题在于得到磁记录膜用溅射靶，其抑制该靶中造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，能够缩短预烧时间，并且能够在磁控溅射装置中进行稳定的放电。
- 磁记录膜用溅射靶及其制造方法-201180061201.7
- 荻野真一;奈良淳史;高见英生 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2011-10-19 - 2016-10-26 - G11B5/851
- 一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO2，其特征在于，在X射线衍射中石英的（011）面相对于背景强度的峰强度比（石英峰强度/背景强度）为1.40以上。本发明的课题在于得到如下的磁记录膜用溅射靶：可以抑制在靶中造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，并且可以缩短预烧时间，可以将成膜后的单磁畴粒子微细地磁隔离，并且可以提高记录密度。
- 应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法-201610121107.0
- 朱京希;李嘉 - 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
- 2016-03-03 - 2016-07-27 - G11B5/851
- 本发明提供一种应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法，至少包括以下步骤：1）在基底表面沉积一层氧化镁衬底层薄膜；2）对氧化镁衬底层薄膜上的晶界通过预处理形成异于晶粒内部的非平整的沟壑形貌；3）在具有非平整的沟壑形貌晶界的氧化镁衬底层上沉积由磁性金属FePt和非金属晶间间隔层组成的复合薄膜。本发明能够解决在氧化镁基底层对上的晶界对FePt外延生长的不利影响，获得具有理想尺寸和磁性质的热辅助磁记录介质薄膜。
- 磁记录介质的制造方法-201580002518.1
- 森谷友博;岛津武仁 - 富士电机株式会社
- 2015-04-20 - 2016-06-29 - G11B5/851
- 本发明的目的在于提供包含具有更大的磁各向异性常数Ku的磁记录层的磁记录介质的制造方法。本发明的磁记录介质的制造方法包括：(a)准备基板的工序；(b)将基板加热至350℃以上，使以MgO为主成分的非磁性材料沉积，形成基底层的工序；以及(c)在基底层之上形成磁记录层的工序。
- 粒子层的涂布方法、及磁记录介质的制造方法-201410738831.9
- 渡部彰;木村香里;鬼冢刚 - 株式会社东芝
- 2014-12-05 - 2016-02-10 - G11B5/851
- 本发明的实施方式提供一种粒子层的涂布方法，所述方法可以得到间距分散良好的粒子排列。根据实施方式，得到一种粒子层的涂布方法，所述方法包括以下工序：使粒子分散于溶剂中从而制作成粒子涂布液，所述粒子在表面具有使用第一高分子材料形成的第一被覆层；以及在基板上涂布粒子涂布液从而形成单粒子层，所述基板具有使用与第一高分子材料具有相同骨架的第二高分子材料形成的第二被覆层。
- 磁记录用软磁性合金和溅射靶材以及磁记录介质-201380039614.4
- 林亮二;泽田俊之;松原庆明;长谷川浩之 - 山阳特殊制钢株式会社
- 2013-08-08 - 2015-04-01 - G11B5/851
- 提供一种磁记录用软磁性合金，其以at.％比计，100Fe/(Fe+Co)是0～70，并且，以at.％计，含有：10～30％的(A)从Mo和W所构成的群中选择的一种或两种；0～5％的(B)从Ti、Zr和Hf所构成的群中选择的一种或两种以上；0～0.5％的(C)从V、Nb和Ta所构成的群中选择的一种或两种以上；0～30％的(D)从Ni和Mn所构成的群中选择的一种或两种；0～10％的(E)从Cr、Al和Cu所构成的群中选择的一种或两种以上；0～10％的(F)从Si、Ge、P、B和C所构成的群中选择的一种或两种以上，余量由Co和不可避免的杂质构成。该磁记录用软磁性合金耐热冲击性优异。
- 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置-201410379802.8
- 井上健;清水谦治;黑川刚平;大桥荣久 - 昭和电工株式会社
- 2014-08-04 - 2015-02-11 - G11B5/851
- 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
- 相变温度和矫顽力都可调的磁存储介质薄膜及其制作方法-201410598581.3
- 李国庆;谭兴文;林跃强 - 西南大学
- 2014-10-29 - 2015-01-28 - G11B5/851
- 一种反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜即制备方法，采用MgO(001)作为基板，通过溅射靶控制Fe和Pt的生长速率，将FePt层的Fe原子Pt原子的比例严格控制在1:1。制备方法还通过真空热处理使FePt薄膜发生不同程度的A1→L10转变，连续保温24h使FeRh层转变为有序的B2相，最终获得反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜，用于制作热辅助复合磁存储介质，能够有效降低写入磁场，并提高数据保存时的稳定性。本发明的制备方法简单、制备材料性能好，极适合于反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备。
- Co-Cr-Pt 系溅射靶及其制造方法-201280067523.7
- 佐藤敦;池田祐希;荒川笃俊;高见英生;中村祐一郎 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2012-12-12 - 2014-10-01 - G11B5/851
- 一种溅射靶，含有0.5摩尔％～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。本发明的课题是提供抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成、溅射时粉粒产生少的颗粒膜形成用溅射靶。
- 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再现装置-201410028681.2
- 井上健;黑川刚平;大桥荣久 - 昭和电工株式会社
- 2014-01-21 - 2014-07-23 - G11B5/851
- 本发明提供磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及磁记录再现装置，该制造方法至少具备如下工序：形成取向控制层（3）的工序，在非磁性基板（1）上形成控制正上方的层的取向性的取向控制层（3）；和形成垂直磁性层（4）的工序，形成易磁化轴相对于非磁性基板（1）主要垂直地取向的垂直磁性层（4），其中，形成取向控制层（3）的工序包括利用溅射法形成具有粒状结构的粒状层的子工序，所述粒状层包含Ru或以Ru为主要成分的材料和熔点为450℃以上且1000℃以下的氧化物，形成垂直磁性层（4）的工序是以与构成取向控制层（3）的晶体颗粒一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使晶体颗粒进行晶体生长的工序。
- 具有维持加热器的双单侧溅射腔-201310361550.1
- C·B·易;H·刘;H·元;T·塔娜卡 - 西部数据传媒公司
- 2013-08-19 - 2014-02-19 - G11B5/851
- 本发明涉及一种具有加热器腔和双单侧溅射腔的磁盘处理系统，其中单侧溅射腔每个具有维持加热器。
- 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶-201180061229.0
- 佐藤敦;荻野真一 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2011-11-14 - 2013-08-28 - G11B5/851
- 一种溅射靶，其为原子数的组成比由式(Fe100-X-PtX)100-A-CA(其中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在合金中的C粒子，并且相对密度为90%以上。本发明的课题在于提供可以在不使用高价的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜、并且使溅射时产生的粉粒减少的、高密度的溅射靶。
- Fe-Pt型强磁性材料溅射靶-201180041604.5
- 荻野真一;中村祐一郎 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2011-08-05 - 2013-05-01 - G11B5/851
- 一种Fe-Pt型强磁性材料溅射靶，包含Pt为5摩尔%以上且60摩尔%以下、其余为Fe的组成的金属和金属氧化物。本发明提供磁记录层由Fe-Pt合金等磁性相和将其分离的非磁性相构成，作为非磁性相的材料之一使用金属氧化物的强磁性材料溅射靶。本发明的课题在于提供可以抑制溅射时以金属氧化物的不经意脱离或在靶中包含的空隙为起点的异常放电造成的粉粒产生，可以提高金属氧化物与母材合金的密合性，并且可以使溅射靶高密度化的强磁性材料溅射靶。
- 一种垂直磁记录材料的制备方法-201210247115.1
- 王建军;刘春明 - 东北大学
- 2012-07-17 - 2012-12-26 - G11B5/851
- 本发明涉及新材料技术领域，具体涉及一种垂直磁记录材料的制备方法，得到的最终产品的c轴分散角<3°，各项性能得到显著提高。首先选取MgO（111）单晶作为基板，将经充分清洁后的MgO（111）基板放至磁控溅射设备的真空腔内，然后向磁控溅射设备的真空腔内充入氩气，调整氩气流量，得到以RuCr作为下底层的MgO(111)单晶基板；在CoW复合靶材上粘贴纯Pt金属片，制成CoWPt复合靶材，然后将溅射得到的以RuCr作为下底层的MgO(111)单晶基板移至CoWPt复合靶材处，在磁控溅射设备中通入氩气，得到最终产品CoWPt/RuCr/MgO材料，其磁晶各向异性能为4.2～6.1×106erg/cc。
- CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构材料及其制备方法-201210245272.9
- 程晓敏;刘临利;缪向水;刘辉;洪玮;关夏威 - 华中科技大学
- 2012-07-16 - 2012-11-21 - G11B5/851
- 本发明公开了一种CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构及其制备方法。材料依次包括基片，CoPt磁性层，Ta保护层，其中，CoPt的厚度为10nm～100nm，Ta保护层的厚度为1nm～20nm。Ta用于CoPt垂直磁化膜的保护层，作用在于：①Ta元素在溅射沉积及退火中，向CoPt层扩散并向CoPt晶界偏聚，使晶界区成为非磁性区域，改变CoPt磁化反转机制，提高薄膜介质矫顽力。②在热处理过程中，Ta原子向CoPt磁性层扩散，减弱了相邻磁性颗粒间的交换耦合作用，减小介质翻转的噪声，提高了记录位密度。
- 磁盘以及信息记录媒体用玻璃基板的制造方法-201180003205.X
- 中岛哲也 - 旭硝子株式会社
- 2011-04-13 - 2012-05-23 - G11B5/851
- 本发明提供能够在高温下形成磁记录层的磁盘的制造方法。所述磁盘的制造方法是具有在温度为550℃以上的玻璃基板上形成磁记录层的步骤的磁盘的制造方法，以摩尔百分比表示时，玻璃基板含有62～74％的SiO2、6～18％的Al2O3、2～15％的B2O3、合计量为8～21％的MgO、CaO、SrO以及BaO中的任一种以上的成分，所述7种成分的含量合计为95％以上，Li2O、Na2O以及K2O中的任一种以上的成分的合计量不足1％或者不含有这3种成分中的任一种成分。
- 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法-201010597849.3
- 高云;张兴旺;尹志岗;屈盛;高红丽 - 中国科学院半导体研究所
- 2010-12-21 - 2011-06-15 - G11B5/851
- 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层，形成基片；步骤5：对基片进行退火处理，完成磁记录介质的制备。
- 磁记录介质的制造方法和制造装置-200980117004.5
- 福島正人;坂脇彰;茂智雄 - 昭和电工株式会社
- 2009-05-12 - 2011-04-20 - G11B5/851
- 本发明提供使用同一个在线式装置进行介质的制造，由此能够减少处理造成的污染、提高生产率的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的改性工序；除去所述掩模层的除去工序；在所述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，从所述运载器卸下所述非磁性基板的卸下工序。将所述改性工序、所述除去工序或所述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。
- 一种制备倾斜磁记录介质的方法-200910133857.X
- 张永军 - 张永军
- 2009-03-31 - 2010-08-18 - G11B5/851
- 本发明涉及大容量、高密度纳米磁记录介质的制备方法，即一种制备倾斜磁记录介质的方法，它是以有序胶体阵列为衬底，利用磁控溅射技术沿一定倾斜角度在胶体球上沉积多层磁性金属垂直膜。便得到具有倾斜磁易轴的磁记录介质，其制备工艺简单，与传统的刻蚀方法相比，能有效避免在刻蚀过程中对薄膜的损坏。显著提高产品质量、有效降低生产成本、明显增加经济效益。产品具有热稳定性好和转换速度快的特点，而且其记录密度可高达1Tbit/in2，甚至更高。其存储性能、信噪比及晶粒间的交换耦合得到进一步的优化，磁晶各向异性场等均获明显提高。
- 一种优化L10-FePt薄膜微结构的方法-200910074272.5
- 张湘义;李晓红 - 燕山大学
- 2009-04-29 - 2009-11-04 - G11B5/851
- 本发明公开一种优化L10-FePt薄膜微结构的方法，该发明通过对室温下制备的原始态FePt薄膜退火过程中采用高压技术，利用高压能促进L10有序畴形核并抑制其生长的特点，将FePt薄膜中L10有序畴尺寸降低到接近10nm，并且显著的提高了L10有序畴尺寸的均匀性。降低了FePt薄膜的晶粒尺寸，有效的优化了L10-FePt薄膜的微结构。所述方法采用的工艺参数为：退火温度：400～700℃，退火时间：2min～200min；压力：0.2～1GPa，真空度：p＜10-3Pa。本发明为L10-FePt薄膜作为超高密度磁记录材料的应用和发展提供了基础。
- 专利分类
