[发明专利]磁记录介质的制造方法有效
| 申请号： | 201680019575.5 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107430872B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 森谷友博;中田仁志;岛津武仁 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;G11B5/738;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅;金明花 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种具有含有(Mg1－xTix)O的种子层和含有L10型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.磁记录介质的制造方法，包含如下工序：(1)准备基板的工序；(2)在所述基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体和氧气的气氛中将所述种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的所述种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序；x在0以上且0.8以下，前述气氛的氧气的摩尔分数在0.06～0.4的范围内。
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