[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括：氮化绝缘膜；形成在氮化绝缘膜上的晶体管；以及形成在氮化绝缘膜上的包括一对电极的电容元件，晶体管的沟道形成区及电容元件的一个电极由氧化物半导体层形成，而电容元件的另一个电极由透光导电膜形成，电容元件的一个电极与氮化绝缘膜接触，而电容元件的另一个电极电连接到包括在所述晶体管中的源极和漏极中的一个。

主权项

1.一种包括电容元件的半导体装置，包括：包含氮的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的栅电极层；所述栅电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层与所述栅电极层重叠；在所述第一绝缘层上且与所述第一绝缘层接触的第二氧化物半导体层；电连接于所述第一氧化物半导体层的源电极层及漏电极层；在所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层上且与所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层接触的第三绝缘层；以及所述第三绝缘层上的透光导电层，该透光导电层与所述第二氧化物半导体层重叠，其中，所述电容元件的电极之一是所述第二氧化物半导体层。