[发明专利]半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器有效
| 申请号： | 201310698719.2 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103943676B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 牧山刚三 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 杜诚,陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 电源 高频放大器 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极被形成在所述化合物半导体堆结构之上；覆盖所述化合物半导体堆结构、所述源电极和所述漏电极的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有开口；以及栅电极，被形成在所述开口内以及在所述化合物半导体堆结构之上，其中，所述第一绝缘膜为由化学计量比合适的氮化硅形成的化学计量的氮化硅膜，并且其中，第一区域被形成在所述第一绝缘膜的不与所述栅电极接触的表面上，所述第一区域含有超出化学计量比的氮元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310698719.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
