[发明专利]半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极被形成在所述化合物半导体堆结构之上；

覆盖所述化合物半导体堆结构、所述源电极和所述漏电极的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有开口；以及

栅电极，被形成在所述开口内以及在所述化合物半导体堆结构之上，

其中，所述第一绝缘膜为由化学计量比合适的氮化硅形成的化学计量的氮化硅膜，并且其中，

第一区域被形成在所述第一绝缘膜的不与所述栅电极接触的表面上，

所述第一区域含有超出化学计量比的氮元素。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第一区域中对于633nm波长的光的折射率为1.9；以及

在所述第一绝缘膜中对于633nm波长的光的折射率为2.0。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

设置在两侧的所述源电极和所述漏电极，其中所述栅电极介于所述源电极与所述漏电极之间，其中，

所述第一区域被设置在所述漏电极侧。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

设置在两侧的所述源电极和所述漏电极，其中所述栅电极介于所述源电极与所述漏电极之间，其中，

所述第一绝缘膜具有栅电极形成开口，所述栅电极具有第一部分和第二部分，所述第一部分被设置在所述栅电极形成开口中，并且所述第二部分被设置在所述第一部分上以朝向所述源电极和所述漏电极延伸并且与所述第一绝缘膜的表面接触，并且其中，

所述第一区域被设置在所述第一绝缘膜的顶侧上的、除了布置有所述第二部分的区域和所述布置有所述第二部分的区域附近的区域之外的区域中。

6.一种半导体装置，包括：

化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；

栅电极，被设置在所述化合物半导体堆结构之上；

形成在所述化合物半导体堆结构之上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在两侧，其中所述栅电极介于所述源电极与所述漏电极之间；以及

覆盖所述化合物半导体堆结构、所述源电极和所述漏电极的表面的第一绝缘膜，其中，

所述第一绝缘膜具有栅电极形成开口，所述栅电极具有第一部分和第二部分，所述第一部分被设置在所述栅电极形成开口中，并且所述第二部分被设置在所述第一部分上以朝向所述源电极和所述漏电极延伸并且与所述第一绝缘膜的表面接触，并且其中，

第一区域被设置在这样的区域中：该区域在所述第一绝缘膜的顶侧上并且包括存在于所述第二部分下方的区域。

7.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

通过在半导体衬底之上堆叠多个化合物半导体层来形成化合物半导体堆结构；

在所述化合物半导体堆结构之上形成源电极和漏电极；

形成第一绝缘膜以覆盖所述化合物半导体堆结构、所述源电极和所述漏电极的表面，所述第一绝缘膜为化学计量的氮化硅膜；

在所述第一绝缘膜上部分地形成第一区域，所述第一区域含有超出化学计量比的氮元素；

在不存在所述第一区域的所述第一绝缘膜中形成开口，所述开口露出所述化合物半导体堆结构的表面；以及

在所述化合物半导体堆结构之上在所述开口中以及在所述第一绝缘层上形成栅电极，所述栅电极不耦接到所述第一区域。

8.根据权利要求7所述的用于制造半导体装置的方法，其中，

所述形成第一绝缘膜包括：形成化学计量的氮化硅膜，并且在所述氮化硅膜的顶侧上注入氮元素来形成所述第一区域。

9.根据权利要求7所述的用于制造半导体装置的方法，还包括：

形成第二绝缘膜以覆盖所述第一绝缘膜。

10.一种半导体装置，包括：

化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；

覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜；以及

栅电极，被形成在所述第一绝缘膜上，其中

所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域，所述第一区域不与所述栅电极接触，

其中，所述第一绝缘膜包括除所述第一区域之外的第二区域，

其中，所述第二区域由化学计量合适的氮化硅形成，

其中，所述第二区域接触所述化合物半导体堆结构。