[发明专利]半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310695221.0 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716125B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘媛娜;尹正朝;周欣洁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法，所述校准标准片包括晶圆基片以及位于所述晶圆基片表面的至少2个不同膜厚等级的图案区域。本发明由于在同一片标准片上形成多个厚度等级的图案区域，进而可以采用同一片标准片对多个厚度等级进行校准。与现有技术相比，本发明可节省购买标准片的开支，提高了薄膜厚度量测机台对产品的量测利用率和操作人员的工作效率，同时也降低了标准片晶圆的破片机率和管控的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 厚度 校准 标准 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体膜厚度量测校准标准片，其特征在于，包括：晶圆基片；位于所述晶圆基片表面的6个不同膜厚等级的图案区域，所述图案区域呈圆形；所述6个图案区域均匀地分布于所述晶圆基片中心的周围，且所述6个图案区域距离所述晶圆基片中心均相等；其中，6个所述图案区域分别为：第一图案区域，其厚度为第一厚度；第二图案区域，其厚度为第二厚度；第三图案区域，其厚度为第三厚度；第四图案区域，其厚度为第四厚度；第五图案区域，其厚度为第五厚度；第六图案区域，其厚度为第六厚度。
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