[发明专利]具有肖特基二极管的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有嵌入式肖特基二极管的半导体装置及其制造方法。具有肖特基二极管的半导体装置包括：按如下顺序布置的第一导电类型的外延层、第二导电类型的主体层和第一导电类型的有源层；栅极沟槽，从源极层延伸至外延层的一部分；主体沟槽，以距栅极沟槽的预定距离形成并且从源极层延伸至外延层的一部分；以及第二导电类型的保护环，接触主体沟槽的外壁并且形成在外延层中。

主权项

1.一种具有肖特基二极管的半导体装置，所述半导体装置包括：按如下顺序布置的第一导电类型的外延层、第二导电类型的主体层和第一导电类型的源极层；栅极沟槽，从源极层延伸至外延层的一部分；主体沟槽，距栅极沟槽的预定距离形成并且从源极层延伸至外延层的一部分；阻挡金属，沿主体沟槽的内壁形成；源极金属，形成在阻挡金属上；以及第二导电类型的保护环，接触阻挡金属并且形成在外延层中，其中，主体沟槽的底表面与外延层直接接触，使得主体沟槽的底表面与外延层形成肖特基接触，并且保护环的一部分形成在主体层与外延层之间的结的下面。