[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310631754.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104681495A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层；在所述浮栅层上形成绝缘隔离层、控制栅层以及第一掩膜层；在横向上图案化所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层，来定义浮栅的关键尺寸并露出所述浮栅层；以图案化的所述第一掩膜层、控制栅层以及所述绝缘隔离层为掩膜，对浮栅层进行离子注入，以在所述浮栅层的两端形成彼此隔离的第一双掺杂区，其中部分第一双掺杂区位于所述图案化的所述绝缘隔离层的下方；以所述图案化的所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层为掩膜，蚀刻所述掺杂的浮栅层、隧穿氧化层，以形成具有双掺杂浮栅的栅极叠层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层；在所述浮栅层上形成绝缘隔离层、控制栅层以及第一掩膜层；在横向上图案化所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层，来定义浮栅的关键尺寸并露出所述浮栅层；以所述图案化的所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层为掩膜，对所述浮栅层进行离子注入，以在所述浮栅层的两端形成彼此隔离的第一双掺杂区，其中部分所述第一双掺杂区位于所述图案化的所述绝缘隔离层的下方；以所述图案化的所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层为掩膜，蚀刻所述掺杂的浮栅层、隧穿氧化层，以形成具有双掺杂浮栅的栅极叠层结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310631754.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于SIP集成的封装外壳结构
- 下一篇：一种半导体存储器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
