[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层；

在所述浮栅层上形成绝缘隔离层、控制栅层以及第一掩膜层；

在横向上图案化所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层，来定义浮栅的关键尺寸并露出所述浮栅层；

以所述图案化的所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层为掩膜，对所述浮栅层进行离子注入，以在所述浮栅层的两端形成彼此隔离的第一双掺杂区，其中部分所述第一双掺杂区位于所述图案化的所述绝缘隔离层的下方；

以所述图案化的所述第一掩膜层、所述控制栅层以及所述绝缘隔离层为掩膜，蚀刻所述掺杂的浮栅层、隧穿氧化层，以形成具有双掺杂浮栅的栅极叠层结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在所述栅极叠层结构的侧壁上形成间隙壁；

执行源漏注入步骤，以在所述栅极叠层结构的两侧形成源漏区。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括形成自对准硅化物的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述绝缘隔离层、所述控制栅层以及所述第一掩膜层之前还包括以下步骤：

在所述浮栅层上形成第二掩膜层；

在纵向上图案化所述第二掩膜层，来定义浮栅的关键尺寸并露出所述浮栅层；

以所述图案化的所述第二掩膜层为掩膜，在纵向上对所述浮栅层进行离子注入，以在所述浮栅层的两端形成彼此隔离的第二双掺杂区，其中部分所述第二双掺杂区位于所述图案化的所述第二掩膜层的下方；

以所述图案化的所述第二掩膜层为掩膜，蚀刻所述浮栅层、隧穿氧化层，以形成具有所述第二双掺杂区的浮栅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在蚀刻所述浮栅层和所述隧穿氧化层的同时进一步蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充隔离材料，并平坦化至所述第二掩膜层，以形成浅沟槽隔离；

去除所述第二掩膜层，回蚀刻所述浅沟槽隔离至所述浮栅层以下。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮栅层为N型浮栅；所述第一掩膜层为硬掩膜层。

7.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，通过与所述半导体衬底的表面具有小于90度的倾角的离子注入的方法对所述浮栅层进行离子掺杂。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述倾角为15-45度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述离子注入步骤之后还包括退火的步骤。

10.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，对所述浮栅层进行P型离子注入。

11.一种半导体存储器件，包括：

半导体衬底；

栅极叠层结构，包括依次沉积的隧穿氧化层、浮栅层、绝缘隔离层和控制栅层，位于所述半导体衬底上；

其中，所述浮栅层的四周边缘部分形成有离子掺杂区。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述浮栅层为N型浮栅，所述离子掺杂区为P型。