[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310627337.0 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104681494A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层以及掩膜层；图案化所述掩膜层、所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述半导体衬底，在形成浮栅叠层的同时在所述浮栅叠层两侧的所述半导体衬底中形成浅沟槽；选用隔离材料填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以在所述浮栅层上方形成凹槽；回蚀刻所述凹槽两侧的所述隔离材料，以扩大所述凹槽的关键尺寸；在所述关键尺寸扩大的凹槽的底部和侧壁上沉积半球状浮栅膜，以形成浮栅结构。在本发明中浮栅结构包括半球状浮栅膜，增加了所述浮栅结构的表面积，使所述浮栅形成的电容量增加，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层以及掩膜层；图案化所述掩膜层、所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述半导体衬底，在形成浮栅叠层的同时在所述浮栅叠层两侧的所述半导体衬底中形成浅沟槽；选用隔离材料填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以在所述浮栅层上方形成凹槽；回蚀刻所述凹槽两侧的所述隔离材料，以扩大所述凹槽的关键尺寸；在所述关键尺寸扩大的凹槽的底部和侧壁上沉积半球状浮栅膜，以形成浮栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
