[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层以及掩膜层；

图案化所述掩膜层、所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述半导体衬底，在形成浮栅叠层的同时在所述浮栅叠层两侧的所述半导体衬底中形成浅沟槽；

选用隔离材料填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离结构；

去除所述掩膜层，以在所述浮栅层上方形成凹槽；

回蚀刻所述凹槽两侧的所述隔离材料，以扩大所述凹槽的关键尺寸；

在所述关键尺寸扩大的凹槽的底部和侧壁上沉积半球状浮栅膜，以形成浮栅结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述关键尺寸扩大的凹槽的底部和侧壁上沉积半球状浮栅膜的方法为：

在所述关键尺寸扩大的凹槽中以及所述浅沟槽隔离结构上沉积半球状浮栅膜；

执行平坦化步骤，以去除所述浅沟槽隔离结构上的半球状浮栅膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

蚀刻所述浅沟槽隔离结构至所述浮栅层的顶部，以露出所述半球状浮栅膜；

在所述半球状浮栅膜以及所述隔离材料上沉积ONO材料层和控制栅层；

图案化所述ONO材料层和所述控制栅层，以形成栅极叠层结构；

执行源漏注入步骤，以在所述栅极叠层结构两侧形成源漏区。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层选用氮化硅；所述隔离材料选用氧化物。

5.一种半导体存储器件，包括：

半导体衬底；

隧穿氧化层，位于所述半导体衬底上；

浮栅结构，位于所述隧穿氧化层上，包括浮栅层以及位于所述浮栅层上的半球状浮栅膜。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其特征在于，所述半球状浮栅膜整体呈凹形，其内表面具有半球状浮栅晶粒，以增加所述浮栅结构的表面积。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其特征在于，所述半导体存储器件还包括：

ONO材料层，位于所述半球状浮栅膜上方；

控制栅层，位于所述ONO材料层的上方。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其特征在于，所述半导体存储器件还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述浮栅结构两侧的所述半导体衬底中。