[发明专利]半导体器件、其制造方法及半导体器件封装有效

专利信息
申请号: 201310583359.1 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN103972189B 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 陈依婷;施应庆;蔡柏豪;卢思维;林俊成 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了半导体器件、其制造方法以及半导体器件封装。在一个实施例中,半导体器件包括在衬底的表面上具有开口的绝缘材料层。一个或多个插入凸块设置在绝缘材料层上方。半导体器件包括具有不设置在绝缘材料层上方的部分的信号凸块。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 封装
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底;绝缘材料层,在所述衬底的表面上具有开口;一个或多个插入凸块,设置在所述绝缘材料层上方;以及多个信号凸块,具有不设置在所述绝缘材料层上方的部分;其中,所述一个或多个插入凸块的最顶部分和所述多个信号凸块的最顶部分不在一个水平面上,所述一个或多个插入凸块包括导电材料并且和所述多个信号凸块通过喷镀工艺同时形成,所述一个或多个插入凸块的最顶部分与所述衬底的表面之间的第一距离大于所述多个信号凸块的最顶部分与所述衬底的表面之间的第二距离;另一衬底,接合至所述衬底,其中,所述一个或多个插入凸块与位于所述另一衬底上的插入凸块机械地对准,所述一个或多个插入凸块与位于所述另一衬底上的插入凸块之间存在间隙。
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