[发明专利]半导体器件、其制造方法及半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

绝缘材料层，在所述衬底的表面上具有开口；

一个或多个插入凸块，设置在所述绝缘材料层上方；以及

多个信号凸块，具有不设置在所述绝缘材料层上方的部分；

其中，所述一个或多个插入凸块的最顶部分和所述多个信号凸块的最顶部分不在一个水平面上，所述一个或多个插入凸块包括导电材料并且和所述多个信号凸块通过喷镀工艺同时形成，所述一个或多个插入凸块的最顶部分与所述衬底的表面之间的第一距离大于所述多个信号凸块的最顶部分与所述衬底的表面之间的第二距离；

另一衬底，接合至所述衬底，其中，所述一个或多个插入凸块与位于所述另一衬底上的插入凸块机械地对准，所述一个或多个插入凸块与位于所述另一衬底上的插入凸块之间存在间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个信号凸块包括：不设置在所述绝缘材料层上方的第一部分和设置在所述绝缘材料层上方的第二部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个信号凸块中的每个信号凸块都在所述衬底的所述表面上设置在接触焊盘上方。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从上往下看时，所述一个或多个插入凸块包括：形成多边形的顶点的三个或更多个插入凸块。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个插入凸块之一是插头。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个插入凸块之一具有空心的插座形状。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述一个或多个插入凸块具有楔形侧壁。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述一个或多个插入凸块具有竖直的侧壁。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，从上往下看时，具有所述空心的所述插座形状的所述一个或多个插入凸块包括圆形或正方形。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成绝缘材料层；

去除所述绝缘材料层的一部分，以暴露所述衬底的信号凸块区域；

在所述绝缘材料层上方形成一个或多个插入凸块；以及

在所述衬底的所述信号凸块区域中形成多个信号凸块；

其中，所述一个或多个插入凸块的最顶部分和所述多个信号凸块的最顶部分不在一个水平面上，所述一个或多个插入凸块的最顶部分与所述衬底的表面之间的第一距离大于所述多个信号凸块的最顶部分与所述衬底的表面之间的第二距离，形成所述一个或多个插入凸块和形成所述多个信号凸块包括：使用镀工艺同时形成所述一个或多个插入凸块和所述多个信号凸块；

将所述衬底接合至另一衬底，其中，所述一个或多个插入凸块与位于所述另一衬底上的插入凸块机械地对准，所述一个或多个插入凸块与位于所述另一衬底上的插入凸块之间存在间隙。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在所述衬底的所述信号凸块区域上方以及所述绝缘材料层上方沉积晶种层；

在所述绝缘材料层上方图案化部分所述晶种层上方的掩蔽材料；

去除图案化的掩蔽材料；以及

去除部分所述晶种层，其中，形成所述一个或多个插入凸块和形成所述多个信号凸块包括：在所述掩蔽材料的图案之间的所述晶种层上镀导电材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述绝缘材料层包括：氮化硅、聚酰亚胺或聚苯并恶唑(PBO)。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述绝缘材料层是厚度为5μm至10μm的材料层。