[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310573261.8 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104282654B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 小柳胜;末松靖弘 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 万利军,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。根据实施方式，具备形成于半导体芯片的晶体管、连接于所述晶体管的扩散层并引出到所述扩散层之外的下层布线和从形成于所述半导体芯片上的衬垫电极引出并连接于所述下层布线且电阻率比所述下层布线小的上层布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：晶体管，其形成于半导体芯片；下层布线，其连接于所述晶体管的扩散层，引出到所述扩散层之外；和上层布线，其从形成于所述半导体芯片上的衬垫电极引出，并且连接于所述下层布线，电阻率比所述下层布线小，在所述扩散层之外，所述下层布线采用折回结构。
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