[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
申请号: | 201310564305.0 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103560189A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 郑建森;林素慧;徐宸科 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法,该发光二极管芯片,包括:具有凹凸微结构的外延层;图案化的第一电流扩展层,形成于外延层的凸表面;第二电流扩展层,覆盖于图案化的第一电流扩展层的上表面及未掩膜第一电流扩展层的外延层的凹凸表面,如此形成的双电流扩展层并配合具凹凸微结构的外延层,不仅可以降低全反射的发生几率并减少内部的反射与吸收,还可以改善电流的扩展性,提高电流的注入效率,降低器件工作电压,从而提高LED的发光效率和亮度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
发光二极管芯片,包括:具有凹凸微结构的外延层;图案化的第一电流扩展层,形成于外延层的凸表面;第二电流扩展层,覆盖于图案化的第一电流扩展层的上表面及未掩膜第一电流扩展层的外延层的凹凸表面。
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