[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310564305.0 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103560189A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 郑建森;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.发光二极管芯片，包括：具有凹凸微结构的外延层；图案化的第一电流扩展层，形成于外延层的凸表面；第二电流扩展层，覆盖于图案化的第一电流扩展层的上表面及未掩膜第一电流扩展层的外延层的凹凸表面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电流扩展层、第二电流扩展层的折射率介于外延层与空气的折射率之间。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二电流扩展层的折射率略小于或者等于第一电流扩展层的折射率。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电流扩展层与第二电流扩展层材料相同。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电流扩展层为纳米球或纳米线或纳米柱结构。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述纳米球的线径为10~500nm。
7.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述纳米线的截面线径为10~500nm。
8.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述纳米柱的高度为10~1000nm，宽度为10~10000nm。
9.根据权利要求1或2或3或4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二电流扩展层为连续分布的薄膜结构。
10.根据权利要求1或2或3或4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电流扩展层、第二电流扩展层的材料选用氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）。
11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述凹凸微结构呈周期性分布，间距为10~1000nm。
12.发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：
（1）提供一具有凹凸微结构的外延层，所述凹凸微结构的表面上设有图案化的第一电流扩展层；
（2）在所述第一电流扩展层的上表面及未披覆第一电流扩展层的外延层的凹凸表面覆盖第二电流扩展层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）具体包括：
在一基板上形成外延层；
在所述外延层上形成前述图案化的第一电流扩展层；
以所述第一电流扩展层作为掩膜层，蚀刻所述外延层以形成具有凹凸微结构的外延层。
14.根据权利要求13所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第一电流扩展层为纳米球或纳米线或纳米柱结构。
15.根据权利要求13所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第二电流扩展层为连续分布的薄膜结构。
16.根据权利要求12或13所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第一电流扩展层、第二电流扩展层的折射率介于外延层与空气的折射率之间。
17.根据权利要求16所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第二电流扩展层的折射率略小于或者等于第一电流扩展层的折射率。
18.根据权利要求12所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第一电流扩展层与第二电流扩展层材料相同。
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