[发明专利]半导体栅结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201310553722.5 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103578958A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵梅;刘磊;王敬;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体栅结构及其形成方法，其中，该方法包括以下步骤：提供以Ge层为表面的衬底；在Ge层之上形成Sn层，其中，Ge与Sn层之间的界面为GeSn层；去除Sn层以暴露GeSn层；对GeSn层进行硫化处理以形成GeSnSx钝化层；以及在GeSnSx钝化层之上形成栅堆叠结构。本发明能够提高Ge基上栅堆叠结构的电学性能，例如低界面陷阱密度和极低的栅泄漏电流密度，具有简便易行、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体栅结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供以Ge层为表面的衬底；在所述Ge层之上形成Sn层，其中，所述Ge层与所述Sn层之间的界面为GeSn层；去除所述Sn层以暴露所述GeSn层；对所述GeSn层进行硫化处理以形成GeSnSx钝化层；以及在所述GeSnSx钝化层之上形成栅堆叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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