[发明专利]半导体装置及其形成方法、半导体电路及其使用方法有效
| 申请号： | 201310535805.1 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103811440A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 金大益;C.科撒达拉曼;林崇勋;J.M.萨弗兰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/58;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其形成方法、半导体电路及其使用方法。该半导体装置包括：包括硅基板层的基板结构、延伸穿过硅基板层的导电穿透基板通路。该装置还包括位于基板结构中的半导体器件以及位于穿透基板通路和半导体器件之间的导电壁。导电壁与硅基板层电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 电路 使用方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板结构，包括硅基板层；导电穿透基板通路，延伸穿透该硅基板层；半导体器件，位于该基板结构中；以及导电壁，位于该穿透基板通路和该半导体器件之间，该导电壁与该硅基板电接触。
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