[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201310455301.9 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103474407A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 石磊;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构，包括：半导体基底，所述半导体基底具有焊垫层；覆盖所述半导体基底和部分焊垫层的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层的第一开口；位于第一开口内的金属柱；位于金属柱和焊垫层之间的凸下金属层，所述凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本发明的半导体封装结构的金属柱和凸下金属层的粘附性较好，提高了稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底具有焊垫层；覆盖所述半导体基底和部分焊垫层的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层的第一开口；位于第一开口内的金属柱；位于金属柱和焊垫层之间的凸下金属层，所述凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。
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