[发明专利]一种半导体开关芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310439000.7 申请日: 2013-09-24
公开(公告)号: CN104465645B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 潘光燃;石金成;文燕;马万里;高振杰 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/06;H01L21/822;H03K17/56
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,黄灿
地址: 100871 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了半导体芯片及其制造工艺的技术领域中的一种半导体开关芯片及其制造方法。本发明包括开关器件,用于对输入电压进行脉冲调制;所述开关器件包括第一横向双扩散MOS晶体管;高压启动器件,用于开启所述半导体开关芯片外围的控制芯片,所述控制芯片用于对所述开关器件实现开启和关闭功能;所述高压启动器件包括第二横向双扩散MOS晶体管、稳压二极管和高阻值电阻;温度检测器件,用于实时检测所述开关器件的温度。本发明不受外界环境因素的干扰,可以非常灵敏的检测到开关器件的温度变化;开关器件和高压启动器件集成在同一芯片中,可提高启动效率、降低静态功耗。
搜索关键词: 一种 半导体 开关 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体开关芯片,其特征在于,所述半导体开关芯片包括:开关器件,用于对输入电压进行脉冲调制;所述开关器件包括第一横向双扩散MOS晶体管;高压启动器件,用于开启所述半导体开关芯片外围的控制芯片,所述控制芯片用于对所述开关器件实现开启和关闭功能;所述高压启动器件包括第二横向双扩散MOS晶体管、稳压二极管和高阻值电阻;温度检测器件,用于实时检测所述开关器件的温度。
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