[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310409945.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104009017A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木文雄;川崎久夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：半导体层，具有第一面、以及与上述第一面相反侧的第二面；中间层，设置在上述第一面之上，仅由在离子化倾向中标准氧化还原电位为0V以上的金属构成；以及电极，设置在上述中间层之上。半导体装置还具备导电层，该导电层覆盖以从上述第二面达到上述中间层的方式设置于上述半导体层的孔的内面，经由在上述孔的底面露出的上述中间层而与上述电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体层，具有第一面、以及与上述第一面相反侧的第二面；中间层，设置在上述第一面之上，包括仅由在离子化倾向中标准氧化还原电位为0V以上的金属构成的金属层；电极，设置在上述中间层之上；以及导电层，覆盖以从上述第二面到达上述中间层的方式设置于上述半导体层的通孔的内面，经由在上述孔的底面露出的上述中间层而与上述电极电连接。
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