[发明专利]基于宽禁带半导体碳化硅晶体的光参量振荡激光器

摘要

本发明涉及一种基于宽禁带半导体碳化硅晶体的光参量振荡激光器。该光参量振荡激光器依次包括激励源、输入镜、半导体SiC晶体和输出镜；所述半导体SiC晶体沿其光参量振荡的相位匹配方向切割，通光面镀以对激励光、信频光和闲频光高透过的介质膜，激励源是全固态脉冲激光器；输入镜两个通光面镀以对激励光高透过且对信频光和闲频光高反射的介质膜，输出镜镀以对信频光高反射且对闲频光部分透过的介质膜。本发明利用宽禁带半导体SiC作为非线性光学介质，实现1.28μm-6μm光参量振荡振荡激光输出，输出能量高、结构简单、透过范围连续可调。

主权项

基于宽禁带半导体材料碳化硅晶体的光参量振荡激光器，其特征在于依次包括激励源（1）、输入镜（2）、半导体SiC晶体（3）和输出镜（4）；所述半导体SiC晶体沿其光参量振荡的相位匹配方向切割，表面镀膜或不镀膜；所述表面镀膜是在SiC晶体通光面镀以对激励光、信频光和闲频光高透过的介质膜；所述激励源（1）是全固态脉冲激光器；所述输入镜（2）两个通光面镀以对激励光高透过且对信频光和闲频光高反射的介质膜，输出镜（4）镀以对信频光高反射且对闲频光部分透过的介质膜。