[发明专利]基于宽禁带半导体碳化硅晶体的光参量振荡激光器有效
| 申请号： | 201310400907.2 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103427329A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 于浩海;徐现刚;路大治;陈秀芳;胡小波;张怀金 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 宽禁带 半导体 碳化硅 晶体 参量 振荡 激光器 | ||
1.基于宽禁带半导体材料碳化硅晶体的光参量振荡激光器，其特征在于依次包括激励源（1）、输入镜（2）、半导体SiC晶体（3）和输出镜（4）；
所述半导体SiC晶体沿其光参量振荡的相位匹配方向切割，表面镀膜或不镀膜；所述表面镀膜是在SiC晶体通光面镀以对激励光、信频光和闲频光高透过的介质膜；
所述激励源（1）是全固态脉冲激光器；
所述输入镜（2）两个通光面镀以对激励光高透过且对信频光和闲频光高反射的介质膜，输出镜（4）镀以对信频光高反射且对闲频光部分透过的介质膜。
2.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：所述半导体SiC晶体为单晶体，选自6H-SiC晶体或4H-SiC晶体。
3.如权利要求2所述的激光器，其特征在于：所述6H-SiC晶体的通光方向与光轴成47°-73°角。
4.如权利要求2所述的激光器，其特征在于：所述4H-SiC晶体的通光方向与光轴成38°-55°角。
5.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：所述半导体SiC晶体的通光方向长度为0.5mm-50mm；优选的，所述半导体SiC晶体长度为10mm-40mm。
6.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：所述的输入镜（2）是平面镜或凹面镜，输出镜（4）平面镜或凹面镜。
7.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：所述的激励源是产生波长为1.06μm的全固态脉冲激光器。
8.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：所述的激励源是1.06μm调Q激光器或1.06μm锁模激光器。
9.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：该光参量振荡激光器产生1.28μm-6μm的中红外激光输出。
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