[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件及其制作方法。半导体元件适于配置于基板上。半导体元件包括像素电极、漏极、半导体沟道层、源极、栅绝缘层以及侧边栅极。像素电极配置于基板上。漏极配置于像素电极上且暴露出部分像素电极。半导体沟道层配置于漏极上。源极配置于半导体沟道层上。栅绝缘层配置于基板上，且至少包覆源极并环绕半导体沟道层。侧边栅极配置于栅绝缘层上，且沿着栅绝缘层的至少一侧延伸覆盖于基板上。部分侧边栅极的延伸方向与漏极、半导体沟道层以及源极的堆叠方向相同。本发明提供的技术方案具有半导体沟道层的制作不受制造工艺限制，可减少沟道长度，降低操作电压，提高半导体元件的载子迁移率，提高显示器的显示品质等优点。

主权项

一种半导体元件的制作方法，其特征在于包括：形成像素电极以及位于该像素电极上方的第一金属层在基板上；形成覆盖该基板与该第一金属层的牺牲材料层，其中该牺牲材料层具有开口，且该开口暴露出部分该第一金属层；形成半导体材料层在该开口内且覆盖该牺牲材料层，其中该半导体材料层覆盖被该开口所暴露出的部分该第一金属层，而位于该开口内的该半导体材料层定义为半导体沟道层；移除位于该牺牲材料层上的该半导体材料层，而暴露出该半导体沟道层的上表面；形成源极在该半导体沟道层的该上表面上；以该源极为刻蚀掩模，至少移除暴露于该源极之外的该牺牲材料层；形成栅绝缘层在该基板上，该栅绝缘层至少包覆该源极并环绕该半导体沟道层；以该栅绝缘层为刻蚀掩模，移除暴露于该栅绝缘层之外的该第一金属层而暴露出部分该像素电极，且定义出漏极；以及形成侧边栅极在该栅绝缘层上，该侧边栅极沿着该栅绝缘层的至少一侧延伸覆盖于该基板上，其中部分该侧边栅极的延伸方向与该漏极、该半导体沟道层以及该源极的堆叠方向相同。