专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201310394945.1有效
  • 蓝纬洲;辛哲宏 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2013-08-30 - 2017-04-12 - H01L29/78
  • 本发明是有关于一种半导体元件及其制作方法。半导体元件适于配置于基板上。半导体元件包括像素电极、漏极、半导体沟道层、源极、栅绝缘层以及侧边栅极。像素电极配置于基板上。漏极配置于像素电极上且暴露出部分像素电极。半导体沟道层配置于漏极上。源极配置于半导体沟道层上。栅绝缘层配置于基板上,且至少包覆源极并环绕半导体沟道层。侧边栅极配置于栅绝缘层上,且沿着栅绝缘层的至少一侧延伸覆盖于基板上。部分侧边栅极的延伸方向与漏极、半导体沟道层以及源极的堆叠方向相同。本发明提供的技术方案具有半导体沟道层的制作不受制造工艺限制,可减少沟道长度,降低操作电压,提高半导体元件的载子迁移率,提高显示器的显示品质等优点。
  • 半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310016178.0有效
  • 蓝纬洲;辛哲宏 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2013-01-16 - 2017-03-01 - H01L29/786
  • 本发明揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管含有基板、漏极与源极电极层、半导体层、第一介电层、第二介电层、栅极电极层、保护钝化层以及像素电极层。漏极与源极电极层位于基板上,此漏极与源极电极层划分为漏极区域以及源极区域;半导体层与第一介电层位于漏极与源极电极层上,其中此第一介电层的厚度具有上限;第二介电层位于半导体层与第一介电层之上,其中此第二介电层的厚度具有下限;栅极电极层位于第二介电层之上;保护钝化层位于栅极电极层之上,像素电极层则位于保护钝化层之上。
  • 薄膜晶体管及其制造方法
  • [发明专利]背光显示装置-CN201410547376.4在审
  • 阎淑萍;黄霈霖;蓝纬洲;叶佳俊 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2014-10-16 - 2016-02-03 - G09F9/30
  • 本发明公开了一种背光显示装置,其包含像素区、发光区、控制元件、多个第一软板接点与多个第一驱动线路。像素区具有相对的第一边缘与第二边缘、及相对的第三边缘与第四边缘,其中第一边缘与第四边缘的间形成角落区。发光区位于像素区的角落区。控制元件位于像素区的角落区,且位于发光区与第一边缘之间。第一软板接点位于第二边缘。每一第一驱动线路电性连接一个第一软板接点与控制元件。根据本发明,当该背光显示装置应用于拼接的显示墙时,可省略公知用来遮盖与容纳驱动线路的边框与边框中的驱动线路。
  • 背光显示装置
  • [发明专利]有机半导体元件及其制作方法-CN201310137896.3有效
  • 蓝纬洲;吴幸怡;辛哲宏 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2013-04-15 - 2014-02-12 - H01L51/05
  • 本发明是有关于一种有机半导体元件,包括承载板、源极、漏极、有机半导体单晶通道层、有机绝缘层以及栅极。源极与漏极配置于承载板的上表面上。源极与漏极彼此平行设置,且承载板的一部分暴露于源极与漏极之间。有机半导体单晶通道层配置于承载板的上表面上,且覆盖部分源极、部分漏极以及承载板被源极与漏极所暴露出的部分上。有机绝缘层覆盖承载板、源极、漏极以及有机半导体单晶通道层。栅极配置于有机绝缘层上,且与承载板被源极与漏极所暴露出的部分相对应设置。
  • 有机半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]半导体元件-CN201210128467.5无效
  • 蓝纬洲;辛哲宏;王裕霖;叶佳俊 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2012-04-27 - 2013-09-11 - H01L29/06
  • 本发明是有关于一种半导体元件,包括一基材、一金属层、一绝缘层、一半导体层、一漏极以及一源极。基材具有一表面以及一第一凹槽。金属层配置于基材上,且覆盖表面以及第一凹槽的内壁,而定义出一对应第一凹槽的第二凹槽。绝缘层覆盖金属层与第二凹槽的内壁,而定义出一对应第二凹槽的第三凹槽。半导体层暴露出部分绝缘层且覆盖第三凹槽的内壁,而定义出一对应第三凹槽的第四凹槽。漏极与源极配置于半导体层上,且覆盖部分半导体层与部分绝缘层。漏极与源极暴露出第四凹槽。
  • 半导体元件
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与退火炉-CN201210359964.6有效
  • 蓝纬洲;辛哲宏;吴幸怡 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2012-09-24 - 2013-07-03 - H01L27/02
  • 本发明揭露一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与使用在其制造方法的退火炉。薄膜晶体管阵列基板包含基底、栅极层、绝缘层、氧化物半导体层、源极/漏极层、有机压克力系光阻、保护层以及导电层。栅极层是形成于基底上。绝缘层是形成于栅极层及基底上。氧化物半导体层形成于绝缘层上。源极/漏极层是形成于绝缘层及氧化物半导体层上,源极/漏极层形成有间隙,氧化物半导体层自间隙露出。有机压克力系光阻是覆盖于源极/漏极层上。保护层是形成于基底、氧化物半导体层及有机压克力系光阻上。导电层设置于保护层或有机压克力系光阻上且连接至源极/漏极层或栅极层。
  • 薄膜晶体管阵列及其制造方法退火炉
  • [发明专利]光感测组件-CN201210011994.8有效
  • 叶佳俊;王裕霖;蓝纬洲;辛哲宏 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2012-01-05 - 2013-05-22 - H01L27/30
  • 本发明揭露一种光感测组件,其包含:基板、第一光传感器以及第二光传感器。第一光传感器形成于基板上,第一光传感器包含第一金属氧化物半导体层,用以吸收具有一第一光波段的一第一光线。第二光传感器形成于基板上,其中第二光传感器包含第二金属氧化物半导体层与有机感光层,有机感光层设置于第二金属氧化物半导体层上,以使第二光传感器用以吸收具有一第二光波段的一第二光线。
  • 光感测组件
  • [发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201210005254.3有效
  • 蓝纬洲;辛哲宏;王裕霖;叶佳俊 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2012-01-06 - 2013-05-08 - H01L21/77
  • 本发明在此揭露一种阵列基板及其制造方法。此制造方法包括下列步骤。提供一基材。在基材上形成源极以及漏极。依序形成半导体层、有机绝缘层以与栅极层来覆盖基材、源极及漏极。在栅极层上形成图案化光阻层。移除暴露出的栅极层及其下方的有机绝缘层与半导体层,以形成栅极。在栅极、源极及漏极上形成有机保护层,其中有机保护层具有接触窗以露出部分的漏极。在有机保护层以及露出部分的漏极上形成像素电极。
  • 阵列及其制造方法
  • [发明专利]驱动基板及使用该驱动基板的显示设备-CN201110324257.9有效
  • 王裕霖;辛哲宏;叶佳俊;蓝纬洲 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2011-10-21 - 2013-04-03 - H01L27/12
  • 本发明涉及一种驱动基板,包括基板、多条第一信号传输线、第一绝缘层、多条第二信号传输线以及多个开关元件。第一信号传输线配置于基板上,每一第一信号传输线包括至少一条第一线段以及至少一条第一连接段。第一绝缘层配置于第一线段与第一连接段之间,第一连接段经第一绝缘层的开口而电性连接至对应的第一线段。第二信号传输线配置于基板上,且与第一信号传输线绝缘相交,以在基板上划分出多个像素区。所述开关元件分别配置于像素区内,每一开关元件电性连接至对应的第一信号传输线与对应的第二信号传输线。本发明还涉及一种使用该驱动基板的显示设备。本发明驱动基板及使用该驱动基板的显示设备具有可靠度较高的优点。
  • 驱动使用显示设备
  • [发明专利]光感测电路单元-CN201010599806.9有效
  • 蓝纬洲;黄松辉;叶佳俊;辛哲宏 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2010-12-14 - 2012-07-11 - G01J1/44
  • 一种用于光传感器的光感测电路单元,此光感测电路单元由光感测晶体管、储存电容、开关晶体管所组成;光感测晶体管用以接收光信号并据此产生光电流,其源极耦接至第一信号源,其栅极则耦接至第二信号源;储存电容用以储存光信号所产生的电荷,其一端耦接至光感测晶体管的漏极,其另一端耦接至低电位点;开关晶体管受控于第二信号源,用以将储存电容的读取信号输出至信号输出线;光感测晶体管的门电压大于开关晶体管的门电压。据此,光感测晶体管及开关晶体管的栅极共享同一信号源,可减少信号源的使用,而达到让光传感器省电的效果。
  • 光感测电路单元

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