[发明专利]半导体装置

摘要

IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：二极管区域，设在第1电极上，作为二极管发挥功能；以及终端区域，邻接于上述二极管区域，设在上述第1电极上；并具备：第1导电型的阴极层，在上述二极管区域中设在上述第1电极的第一面侧，作为二极管的阴极发挥功能；第1导电型的第1半导体区域，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述第1电极的上述第一面侧；第1导电型的漂移层，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述第1半导体区域的与上述第1电极侧相反的一侧；第2导电型的阳极层，在上述二极管区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧；第2导电型的第2扩散层，在上述终端区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧；以及阳极电极，电连接于上述阳极层及上述第2扩散层；上述第1半导体区域，在上述漂移层侧的表面具有第一杂质浓度量，而在其内部具有杂质浓度的峰值，并且，在第1电极侧的背面具有与上述第一杂质浓度同等以上的第二杂质浓度量。