[发明专利]半导体装置

说明书

本申请享有以日本专利申请2012－210232号（申请日：2012年9月24日）、日本专利申请2012－235176号（申请日：2012年10月24日）以及日本专利申请2013－110412号（申请日：2013年5月24日）为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

近年来，RC－IGBT（Reverse-conducting IGBT：反向导通IGBT）的开发盛行。RC－IGBT是将绝缘栅型双极晶体管（IGBT）和二极管在同一基板上形成而得的，具有这双方的特性。但是，在这样的RC－IGBT的二极管与IGBT邻接的区域，由于二极管与IGBT邻接而在二极管区域产生不希望的寄生PNP晶体管，从而会引起发生误动作、或产生特性不良等问题。

此外，在关注RC－IGBT化的情况下，不仅是IGBT的特性改善，用来一体化的二极管的特性改善也是重要的。

发明内容

本发明的实施方式提供一种使可靠性提高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有IGBT区域、二极管区域以及边界区域。IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域与二极管区域。并且，半导体装置具有第1导电型的集电区层、第2导电型的阴极层、第2导电型的漂移层以及第1导电型的扩散层。集电区层在IGBT区域及边界区域中设在第1电极的第一面侧，在IGBT区域中作为IGBT的集电区发挥功能。阴极层与集电区层相分离，在二极管区域中设在第1电极的第一面侧，作为二极管的阴极发挥功能。漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极侧相反的一侧。扩散层在边界区域中设在漂移层的与第1电极侧相反的一侧。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的概要的俯视图。

图2是表示第1实施方式的半导体装置的图1的A－A’剖视图。

图3是表示第2实施方式的半导体装置的图1的A－A’剖视图。

图4是表示第3实施方式的半导体装置的图1的A－A’剖视图。

图5是表示第4实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图6是表示第8实施方式的效果的曲线图。

图7是表示第5实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图8是表示第6实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图9是表示第7实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图10是表示第8实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图11是表示第9实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图12是表示第10实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图13是表示第11实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图14是表示第12实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图15是表示第13实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图16是表示第14实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图17是表示第15实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图18是表示第16实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图19是表示第17实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图20是表示第18实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图21是表示第19实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图22是表示第20实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图23是表示第21实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图24是表示第22实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图25是表示第23实施方式的半导体装置的图1的B－B’剖视图。

图26是表示第23实施方式的半导体装置的杂质分布的曲线图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明实施方式的半导体装置。

［第1实施方式］