[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

二极管区域，设在第1电极上，作为二极管发挥功能；以及

终端区域，邻接于上述二极管区域，设在上述第1电极上；

并具备：

第1导电型的阴极层，在上述二极管区域中设在上述第1电极的第一面侧，作为二极管的阴极发挥功能；

第1导电型的第1半导体区域，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述第1电极的上述第一面侧；

第1导电型的漂移层，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述第1半导体区域的与上述第1电极侧相反的一侧；

第2导电型的阳极层，在上述二极管区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧；

第2导电型的第2扩散层，在上述终端区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧；以及

阳极电极，电连接于上述阳极层及上述第2扩散层；

上述第1半导体区域，在上述漂移层侧的表面具有第一杂质浓度量，而在其内部具有杂质浓度的峰值，并且，在第1电极侧的背面具有与上述第一杂质浓度同等以上的第二杂质浓度量。

2.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

二极管区域，设在第1电极上，作为二极管发挥功能；以及

终端区域，邻接于上述二极管区域，设在上述第1电极上；

并具备：

第1导电型的阴极层，在上述二极管区域中设在上述第1电极的第一面侧，作为二极管的阴极发挥功能；

第2导电型的第1半导体区域，在上述终端区域中设在上述第1电极的上述第一面侧，在与上述第1电极平行的方向上以规定间距重复配置；

第1导电型的漂移层，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述阴极层及上述第1半导体区域的与上述第1电极侧相反的一侧；以及

第2导电型的第2扩散层，在上述终端区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具备第1导电型的第1缓冲层，该第1导电型的第1缓冲层在上述二极管区域中设在上述阴极层与上述漂移层之间，且在上述终端区域中设在上述第1半导体区域与上述漂移层之间。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具备第2缓冲层，该第2缓冲层在上述终端区域中与上述第1半导体区域相分离且设在上述漂移层中，

上述第2缓冲层含有氢离子。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第2扩散层延伸到上述二极管区域与上述终端区域之间的边界，

上述阴极层与上述边界分离设置。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在上述二极管区域中，还具备设在上述第1导电型的阴极层内的第2导电型的第3扩散层。

7.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

二极管区域，设在第1电极上，作为二极管发挥功能；以及

终端区域，邻接于上述二极管区域，设在上述第1电极上；

并具备：

第1导电型的阴极层，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述第1电极的第一面侧，作为二极管的阴极发挥功能；

第2导电型的第1半导体区域，在上述终端区域中设在上述第1导电型的阴极层内，在与上述第1电极平行方向上以规定间距重复配置；

第1导电型的漂移层，在上述二极管区域及上述终端区域中设在上述阴极层及上述第1半导体区域的与上述第1电极侧相反的一侧；以及

第2导电型的第2扩散层，在上述终端区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在上述二极管区域中，还具备设在上述第1导电型的阴极层内的第2导电型的第3扩散层。