[发明专利]制作III族氮化物半导体和半导体元件的方法、III族氮化物半导体装置、进行热处理的方法

摘要

发明提供制作III族氮化物半导体和半导体元件的方法、III族氮化物半导体装置、进行热处理的方法。在工序S107中，进行III族氮化物半导体23的热处理，形成导电性III族氮化物半导体25。热处理包含第一热处理27a和第二热处理27b。在工序S108中，供给包含第一流量L1的还原性气体和第二流量L2的氮源气体的处理气体G1，且在第一热处理中第一流量L1大于零。第二流量L2为零以上。在工序S109中，进行第一热处理27a后，进行第二热处理27b。在第二热处理27b中，供给包含第三流量L3的还原性气体和第四流量L4的氮源气体的处理气体G2，进行III族氮化物半导体23的热处理。

主权项

一种制作III族氮化物半导体的方法，其具有：准备包含p型掺杂剂和n型掺杂剂中的至少一种掺杂剂的III族氮化物半导体的工序；和使用还原性气体和氮源气体进行所述III族氮化物半导体的处理，形成导电性III族氮化物半导体的工序，所述处理包括：将包含第一流量的还原性气体和第二流量的氮源气体的第一处理气体供给至处理装置的同时，进行所述III族氮化物半导体的第一热处理的工序；和在进行所述第一热处理后，将包含第三流量的还原性气体和第四流量的氮源气体的第二处理气体供给至所述处理装置，进行所述III族氮化物半导体的第二热处理的工序，在所述第一热处理中，所述第一流量大于零，所述第二流量为零以上，在所述第二热处理中，所述第四流量大于零，所述第三流量为零以上，所述第二流量小于所述第四流量。