[发明专利]半导体器件的封装方法和装置在审
| 申请号： | 201310359548.0 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104051384A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吕俊麟;陈宪伟;吴凯强;郭宏瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了在封装器件的再分布层（RDL）处减小应力集中的方法和装置。封装器件可以包括位于钝化层上方的晶种层，以覆盖钝化层的开口，且覆盖接触焊盘并与接触焊盘接触。在钝化层上方形成RDL，RDL位于晶种层上方且与晶种层接触，以覆盖钝化层的开口，且通过晶种层电连接至接触焊盘。RDL具有包含非直角的平滑表面的端部。RDL的端部表面可以具有钝角或曲面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种封装器件，包括：接触焊盘，位于衬底的表面上；介电层，位于所述衬底的表面上方，具有露出所述接触焊盘的开口；以及导电层，位于所述介电层上方，覆盖所述介电层的开口，且电连接至所述接触焊盘，其中，所述导电层包括晶种层且具有包含顶面和侧壁的端部，所述侧壁以非直角远离所述衬底进行延伸，并且所述侧壁与所述顶面以非直角交叉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310359548.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：IGBT驱动装置及其驱动方法
- 下一篇：低压涡轮后轴及其设计方法
