[发明专利]半导体器件的封装方法和装置

权利要求书

1.一种封装器件，包括：

接触焊盘，位于衬底的表面上；

介电层，位于所述衬底的表面上方，具有露出所述接触焊盘的开口；以及

导电层，位于所述介电层上方，覆盖所述介电层的开口，且电连接至所述接触焊盘，其中，所述导电层包括晶种层且具有包含顶面和侧壁的端部，所述侧壁以非直角远离所述衬底进行延伸，并且所述侧壁与所述顶面以非直角交叉。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电层的端部的顶面具有钝角或曲面。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电层的端部为阶梯形，且所述导电层的端部的顶面具有钝角或曲面。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电层是基本共形层，所述导电层位于所述介电层上方的部分的厚度基本上等于所述导电层位于所述介电层的开口内的厚度。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电层包括选自基本由Ti、Al、Ni、钒化镍（NiV）、Cu、Cu合金和它们的组合所组成的组的导电材料。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电层的厚度大于约5μm。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电层的端部的顶面的钝角介于约91°至约120°的范围内。

8.根据权利要求7所述的器件，进一步包括：

第二绝缘层，位于所述导电层上方，所述第二绝缘层具有露出所述导电层的开口；以及

凸块下金属化（UBM）焊盘，形成在所述第二绝缘层的开口内且与所述导电层接触。

9.一种用于形成封装器件的方法，包括：

提供衬底，在所述衬底的表面上具有接触焊盘；

在所述衬底的表面上形成介电层，所述介电层具有露出所述接触焊盘的开口；

在所述介电层上方形成晶种层，以覆盖所述介电层的开口，覆盖所述接触焊盘且与所述接触焊盘接触；

在所述晶种层上方形成光刻胶层，所述光刻胶层具有包括光敏化合物（PAC）的光刻胶材料；

在所述晶种层上方形成覆盖所述晶种层的两端的光刻胶图案；

在未被位于所述晶种层上方且与所述晶种层接触的所述光刻胶图案覆盖的区域中形成导电层，以覆盖所述介电层的开口，并通过所述晶种层电连接至所述接触焊盘，其中，所述导电层具有紧邻所述光刻胶图案的端部，并且所述导电层的端部具有非直角的平滑顶面；以及

去除所述光刻胶图案。

10.一种封装器件，包括：

接触焊盘，位于衬底的表面上；

介电层，位于所述衬底的表面上方，具有露出所述接触焊盘的第一开口；

第一绝缘层，位于所述介电层上方且与所述介电层接触，填充所述第一开口的部分且具有第二开口以露出所述接触焊盘；以及

导电层，位于所述第一绝缘层上方，且电连接至所述第二开口内的所述接触焊盘，所述导电层包括晶种层且具有包含顶面和侧壁的第一端部，所述顶面和所述侧壁之间的角度大于90度，并且所述侧壁以非90度的角度远离所述衬底进行延伸。