[发明专利]半导体元件和制造半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201310317338.5 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103700650B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·魏尔斯;凯夫尼·布埃越克塔斯;弗朗茨·赫尔莱尔;安东·毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体元件和制造半导体元件的方法，其中一方面涉及一种具有半导体主体的半导体元件，其中半导体主体具有顶面和底面。单片集成于半导体主体的第一线圈布置在远离底面的位置和包含N个第一绕组，其中N≥1。第一线圈具有在不同于底面的表面法线的方向延伸的第一线圈轴。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包含：包含顶面和底面的半导体主体，所述顶面和所述底面是所述半导体主体的具有最大面积的面；以及第一线圈，所述第一线圈单片集成于所述半导体主体中；所述第一线圈包括N个第一绕组，其中N≥1；所述第一线圈被布置为远离所述底面；所述第一线圈包含在与所述底面的表面法线不同的方向上延伸的第一线圈轴，以及电绝缘所述第一线圈和所述半导体主体的第一电介质，其中，半导体材料的连续层布置在所述第一线圈和所述底面之间，以及其中垂直于所述底面延伸并与第一绕组相交的每个直线还与所述连续层相交。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310317338.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蘑菇栽培装料覆土机
- 下一篇：一种边坡的养护方法
