[发明专利]具有屏蔽结构的半导体装置有效
申请号: | 201310293957.5 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN104282664B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 郭建利;林永昌;林明哲;吴贵盛;林佳芳 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有屏蔽结构的半导体装置,其包括基底、射频电路、屏蔽结构以及金属内连线系统。基底包括主动面以及背面。射频电路设置在基底的主动面的一侧。屏蔽结构至少设置在基底中且包围射频电路,屏蔽结构接地,其中屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极,屏蔽穿硅电极没有贯穿基底。金属内连线系统设置在该基底的主动面的一侧,金属内连线系统包括连接线路,且连接线路连接电位信号至射频电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 屏蔽 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种具有屏蔽结构的半导体装置,包括:基底,包括主动面以及背面;射频电路,设置在该基底的该主动面的一侧;屏蔽结构,至少设置在该基底中且包围该射频电路,该屏蔽结构接地,其中该屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极,该屏蔽穿硅电极没有贯穿该基底;以及金属内连线系统,设置在该基底的该主动面的一侧,该金属内连线系统包括一连接线路,且该连接线路连接电位信号至该射频电路。
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