[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201310284196.7 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103367590A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 何安和;林素慧;彭康伟;许圣贤;林潇雄;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制作方法，其在常规的金属电极层和半导体保护层之间增设金属粘附层，由于金属粘附层与半导体保护层材料附着性良好，避免常规金属电极表面层与半导体保护层材料附着性差导致的保护层脱落现象，从而有效地保护了底层金属电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，包括：一生长基板；发光外延层，位于生长基板上，其至下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；一个开口位于第二半导体层上，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；一透明电流扩展层位于第二半导体层之上，至少部分区域与第二半导体层接触；一金属电极层划分为第一金属电极层与第二金属电极层，第一金属电极层位于透明电流扩展上，第二金属电极层位于裸露的第一半导体层上；一金属粘附层分别位于第一金属电极层和第二金属电极层上；一半导体保护层位于上述结构之上，通过半导体保护层和金属粘附层开口形式，露出金属电极层表面；其特征在于：所述金属粘附层与半导体保护层的开口位置上下对应，大小大体一致。
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